造價通
更新時間:2024.12.28
日本電氣公司開發(fā)新一代半導(dǎo)體存儲器的關(guān)鍵技術(shù)

格式:pdf

大小:132KB

頁數(shù): 1頁

據(jù)日本《電子材料》1992年第2期報道,日本電氣公司為了能在90年代中期實現(xiàn)批量生產(chǎn)256M和64M等半導(dǎo)體快速存儲器,率先開發(fā)出4種類型存儲單元的關(guān)鍵技術(shù),1991年12月在美國華盛頓召開的IEDM會議上公開發(fā)表。研制的主要技術(shù)有:

半導(dǎo)體探測器

格式:pdf

大?。?span class="single-tag-height">5.4MB

頁數(shù): 39頁

半導(dǎo)體探測器

熱門知識

半導(dǎo)體存儲器優(yōu)點

精華知識

半導(dǎo)體存儲器優(yōu)點

最新知識

半導(dǎo)體存儲器優(yōu)點
點擊加載更多>>

相關(guān)問答

半導(dǎo)體存儲器優(yōu)點
點擊加載更多>>
專題概述
半導(dǎo)體存儲器優(yōu)點相關(guān)專題

分類檢索: