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更新時間：2025.05.31
IGBT并聯(lián)技術(shù)詳解

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IGBT 并聯(lián)技術(shù)技術(shù)詳解 IGBT 并聯(lián)均流問題 影響靜態(tài)均流的因素 1、并聯(lián) IGBT 的直流母 線側(cè)連接點的電阻分量，因 此需要盡量對稱； 2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二極管芯片的 VF的差異，因此盡量采取同一批次的產(chǎn)品。 3、 IGBT 模塊所處的溫度差異，設(shè)計機械結(jié)構(gòu)及風(fēng)道時需要考慮； 4、 IGBT 模塊所處的磁場差異； 5、柵極電壓 Vge 的差異。 影響動態(tài)均流的因素 1、 IGBT 模塊的開通門檻電壓 VGEth 的差異， VGEth 越高， IGBT 開通時刻越晚， 不同模塊會有差異； 2、每個并聯(lián)的 IGBT 模塊的直流母線雜散電感 L 的差異； 3、門極電壓 Vge 的差異； 4、門極回路中的雜散電感量的差異； 5、 IGBT 模塊所處溫度的差異； 6、 IGBT 模塊所處的磁場的差異。 IGBT 芯片溫度對均流的影響 IGBT 芯片的溫度對于動態(tài)均

空調(diào)外機并聯(lián)

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空調(diào)外機并聯(lián)是一種高效的安裝方式，特別適用于商業(yè)和工業(yè)場所。它允許多個室內(nèi)機共用一個室外機，節(jié)省空間和成本。然而，這種安裝需要專業(yè)技術(shù)人員來確保負載平衡、制冷劑分配和電力供應(yīng)的適當(dāng)，以保證系統(tǒng)穩(wěn)定和高效運行。

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