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更新時間：2025.06.14
超薄磁性材料有望用于開發(fā)新型存儲設備

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美國一個科研團隊基于二維磁體三碘化鉻開發(fā)出了超薄磁性材料,有望用于研制新型存儲設備,從而大幅提高信息存儲密度并減少能量耗損。發(fā)表在最新一期美國《科學》雜志上的研究顯示,研究人員利用新型二維磁性材料三碘化鉻,可基于"電子自旋"對電子流動進行調(diào)控,從而實現(xiàn)存儲信息。華盛頓大學許曉棟研究組和麻省理工學院團隊在2017年利用三碘化鉻首次制出二維磁體。所謂二維磁體

無錫市建設局存儲設備配置

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無錫市建設局存儲設備配置 1、數(shù)據(jù)整合管理服務器；數(shù)量： 1套 項目 配置 型號要求 與光纖磁盤存儲陣列相同廠家提供 機箱外形及安裝 機架式機型 2U, 自帶可滑動快速 /通用導軌。 ★處理器 主頻 45 納米 Intel 至強 E5420四核處理器， 2.50GHz；支持 EM64T技術 配置 配置 2 個 對稱多處理 擴展性 最大 2 個 對稱多處理 L2 高速緩存 2*6MB L2 cache ★ 體系 結(jié)構(gòu) 前端總線 1333MHz ★內(nèi)存 內(nèi)存類型及配置 ECC DDR2 FBD 667MHz SDRAM 配置 4GB(2*2048MB) 擴展性 最大可配置≥ 64GB ★存儲 控制器 SAS 3.0Gb/s Raid 控制器 ;SAS6i/R( 標配 );4 端口 SAS控制器 ; 陣列控制器配置 標配集成高性能磁盤陣列卡 ; 支持 RAID6；緩存可升級至 51

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