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超高頻加熱裝置用于建筑材料熱處理（燒成）是一項新工藝，本文介紹它的原理裝置與結構，及其在實際生產中應用。
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基于0.5μm CMOS工藝設計了一種應用于超高頻段射頻識別系統讀卡器接收前端的低噪聲放大器.該電路采用帶有源極退化的單端共源共柵結構,借助Cadence仿真環(huán)境完成了電路的仿真分析.仿真結果表明,在中心工作頻率922.5 MHz上,電路具有良好的性能,各指標分別為:噪聲系數(NF)0.828 4 dB,輸出增益(S21)23.37 dB,輸入反射系數(S11)-36.65 dB,輸出反射系數(S22)-58.03 dB,反相隔離(S12)-44.79 dB,三階交調點(IIP3)-13.157 2 dBm.
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