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更新時間:2025.01.04
以聚碳硅烷為先驅(qū)體制備ZrB_2-SiC_C超高溫陶瓷

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通過在1800℃和20 MPa條件下熱壓燒結(jié)ZrB_2和聚碳硅烷(PCS)裂解粉制得ZrB_2-SiC-C復(fù)合材料。樣品中從PCS裂解得到的SiC體積分?jǐn)?shù)從0%開始按5%遞增到30%。通過XRD、SEM、維氏壓痕測試等手段表征了樣品的相組成、微觀結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能。研究表明可得到15%和20%SiC含量的致密均勻樣品,其具有好的韌性,但由于C的存在,硬度相對較低。

以聚碳硅烷為先驅(qū)體制備ZrB_2-SiC_C超高溫陶瓷

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通過在1800℃和20 MPa條件下熱壓燒結(jié)ZrB_2和聚碳硅烷(PCS)裂解粉制得ZrB_2-SiC-C復(fù)合材料。樣品中從PCS裂解得到的SiC體積分?jǐn)?shù)從0%開始按5%遞增到30%。通過XRD、SEM、維氏壓痕測試等手段表征了樣品的相組成、微觀結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能。研究表明可得到15%和20%SiC含量的致密均勻樣品,其具有好的韌性,但由于C的存在,硬度相對較低。

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