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本文用分子軌道法處理半導體化合物靶中射程參數(shù)問題,提出了理論模型和計算方法. 處理中發(fā)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ族化合物一般呈正偏離偏差,Ⅱ-Ⅵ族化合物呈負偏離偏差.且發(fā)現(xiàn)偏離系數(shù)γ只與靶的化學鍵有關,而在一定的能量范圍內(nèi),與注入能量及離子的關系不大. 對于呈閃鋅礦和纖鋅礦的半導體化合物,本文用sp~3雜化軌道處理它們的約化重疊積分S_(AB)問題,得出了普適的離子性△與γ系數(shù)關系,發(fā)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ族化合物的S_(AB)呈正值,而Ⅱ-Ⅵ族化合物的S_(AB)呈負值,這是引起γ不同的主要原因之一. 文內(nèi)對呈負偏離的He~+→CdS、CdTe,H~+→CdTe及B~+→CdHgTe系統(tǒng),正偏離的Si~+→GaAs,Li~+→Al_2O_3,Be~+→InP和 N~+→GaP系統(tǒng)的 Se(E)和射程參數(shù) R_p等實測值與計算值作了比較,均得到了滿意結果.
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環(huán)境空氣質(zhì)量標準 質(zhì)量分級編輯 環(huán)境空氣質(zhì)量功能區(qū)分類 環(huán)境空氣功能區(qū)分為二類: 一類區(qū)為自然保護區(qū)、風景名勝區(qū)和其他需要特殊保護的區(qū)域; 二類區(qū) 為居住區(qū)、商業(yè)交通居民混合區(qū)、文化區(qū)、工業(yè)區(qū)和農(nóng)村地區(qū)。 環(huán)境空氣質(zhì)量標準分級 環(huán)境空氣質(zhì)量標準分為二級 一類區(qū)執(zhí)行一級標準 二類區(qū)執(zhí)行二級標準 GB編輯 4.2 環(huán)境空氣功能區(qū)質(zhì)量要求一類區(qū)適用一級濃度限值, 二類區(qū)適用二級濃度限值。 一、 二類環(huán)境空氣功能區(qū)質(zhì)量要求見表 14.3 本標準自 2016 年 1 月 1 日起在全國實施?;?項目(表 1)在全國范圍內(nèi)實施;其他項目(表 2) 即 0.123ppm~0.155ppm 由國務院環(huán)境保護行政主管部門或者省級人民政府根據(jù)實際情況,確定具體實施方式。 4.4 在全國實施本標準之前, 國務院環(huán)境保護行政主管部門可根據(jù) 《關于推進大氣污染聯(lián)防 聯(lián)控工作改善區(qū)域空氣質(zhì)量的指導意見》 等文件要