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更新時(shí)間：2025.06.15
電容測(cè)試儀論文

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word 文檔 可復(fù)制編輯 電容測(cè)試儀 摘 要 本系統(tǒng)以 51單片機(jī)為控制核心，通過(guò) 555構(gòu)成的脈沖發(fā)生器，產(chǎn)生 150ms， 占空比約為 100%的觸發(fā)脈沖作為單穩(wěn)態(tài)電路的輸入。根據(jù)單片機(jī)控制選擇不同 量程的電容值進(jìn)行切換，測(cè)量脈沖寬度，從而求出 1000PF—1UF電容。 Abstract The single-chip microcomputer system for the control of the core 51 through 555 constitute the pulse generator, resulting in 150ms, duty cycle of approximately 100% of the trigger pulse monostable circuit as input. Single-chip control in accordan

電容參數(shù)

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一、電容的主要參數(shù)： 1、 電壓 1） 額定電壓：兩端可以持續(xù)施加的電壓，一般為直流電壓，通常用 VDC。而專用于 交流電的則為交流有效值電壓，通常為 VAC。 電容器的交直流額定電壓換算關(guān)系 直流額定電壓 VR/VDC 50 63 100 250 400 630 1000 交流額定電壓 VR/VAC 30 40 63 160 200 220 250 2） 浪涌電壓：電解電容特有的電壓參數(shù)，是短時(shí)間可以承受的過(guò)電壓，為額定電壓的 1.15 倍。 3） 瞬時(shí)過(guò)電壓：是鋁電解電容特有電壓參數(shù)，為可以瞬時(shí)承受的過(guò)電壓，這個(gè)浪涌電 壓約為額定電壓的 1.3 倍，是鋁電解電容的擊穿電壓。 4） 介電強(qiáng)度：電容額定電壓低于電容中介質(zhì)的擊穿電壓。一般為額定電壓的 1.5~2.5 倍。如：鋁電解電容的擊穿電壓約為額定電壓的 1.3 倍；其它介質(zhì)則通常為 1.75~2 倍以上。 5） 試驗(yàn)電壓：薄膜電容

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