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更新時(shí)間：2025.06.07
激光收發(fā)器件硅基平臺(tái)封裝設(shè)計(jì)與工藝實(shí)現(xiàn)

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分析了光電子器件對(duì)V型槽刻蝕工藝精度的要求,計(jì)算了激光二級(jí)管(LD)與光纖直接耦合時(shí)所容許的對(duì)準(zhǔn)容差,給出了無(wú)源對(duì)準(zhǔn)封裝工藝對(duì)設(shè)備和工藝控制精度的要求,并采用貼片精度達(dá)±1μm的自動(dòng)貼片倒裝焊工藝和硅V型槽定位技術(shù)開(kāi)發(fā)了一種激光收發(fā)器件模塊.初步的封裝試驗(yàn)和測(cè)試證明了硅基平臺(tái)無(wú)源對(duì)準(zhǔn)封裝工藝的可行性和可靠性.

基于Cavity基板技術(shù)的堆疊芯片封裝設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

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介紹了一種適用于堆疊芯片的封裝結(jié)構(gòu)。采用層壓、機(jī)械銑刀開(kāi)槽等工藝獲得Cavity基板,通過(guò)引線鍵合(wire bonding,WB)和倒裝焊(flip chip,FC)兩種方式實(shí)現(xiàn)堆疊芯片與基板的互連,并將堆疊芯片埋入Cavity基板。最后,將包含4款有源芯片和22個(gè)無(wú)源器件的小系統(tǒng)高密度集成在一個(gè)16 mm×16 mm的標(biāo)準(zhǔn)球柵陣列封裝(ball grid array,BGA)封裝體內(nèi)。相比較于傳統(tǒng)的二維封裝結(jié)構(gòu),該封裝結(jié)構(gòu)將封裝面積減小了40%,封裝高度減小500μm左右,并將堆疊芯片與基板的互連空間增加了2倍。對(duì)這款封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)過(guò)程進(jìn)行了詳細(xì)的闡述,并驗(yàn)證了該封裝設(shè)計(jì)的工藝可行性。

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