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更新時間：2025.04.13
低柵極電壓控制下帶有phenyltrimethoxysilane單分子自組裝層的有機薄膜晶體管場效應(yīng)特性研究

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制作了底柵極頂接觸有機薄膜晶體管器件,60 nm的pentacene被用作有源層,120 nm熱生長的SiO2作為柵極絕緣層.通過采用不同自組裝修飾材料對器件的有源層與柵極絕緣層之間的界面進行修飾,如octadecyltrichlorosilane(OTS),phenyltrimethoxysilane(PhTMS),來比較界面修飾層對器件性能的影響.同時對帶有PhTMS修飾層的OTFTs器件低柵極電壓調(diào)制下的場效應(yīng)行為及其載流子的傳輸機理進行研究.結(jié)果得到,當(dāng)|VGS|<0.1 V時,載流子在如此小的柵極電壓調(diào)制下已經(jīng)不能過多在半導(dǎo)體有源層與柵極絕緣層之間的界面處積聚,使OTFTs器件的輸出電流保持相對的平衡.但是,器件的調(diào)制柵壓在-0.001V時,器件仍然有好的輸出特性,當(dāng)VDS為-20 V時,器件的場效應(yīng)遷移率為3.22×10-3cm2/Vs,開關(guān)電流比為1.43×102,閾值電壓為0.66 V.

三元混配合物分子內(nèi)的芳環(huán)堆積作用Ⅲ——核磁共振法研究Pd~(2+)—A(phen、bpy、trp)—UTP~(4-)體系

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用~1HNMR法測定Pd~(2+)-A-UTP~(4-)體系中混配合物Pd(A)(UTP)~(2-)分子內(nèi)的芳環(huán)堆積作用,A=鄰氮二菲,Phen;2,2′-聯(lián)吡啶(bpy)和色氨酸(trp~-);UTP~(4-)=尿苷-5′-三磷酸鹽,認為由于UTP~(4-)中嘧啶環(huán)與A中的芳香雜環(huán)間發(fā)生部份堆積,使得UTP~(4-)分子內(nèi)H(5)、H(6)和H(1′)發(fā)生明顯的高場位移.混配合物中的芳環(huán)堆積作用按下列順序減小:Pd(Phen)(UTP)~(2-)>Pd(bpy)(UTP)~(2-)>Pd(trp)(UTP)~(3-).這一變化恰與A的芳環(huán)大小相一致,即Phen>bpy>trp~-.

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