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更新時(shí)間:2024.12.29
光伏發(fā)電技術(shù)

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太陽能并網(wǎng)發(fā)電技術(shù) 一. 光伏技術(shù)以及現(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展 1.1 太陽能光伏技術(shù)的發(fā)展概況 進(jìn)入 90 年代以來,日益惡化的生態(tài)環(huán)境使得人們逐步認(rèn)識到,人類必須共同采取行 動(dòng)走可持續(xù)發(fā)展的道路。 各國紛紛開始根據(jù)國情治理和緩解已經(jīng)惡化的環(huán)境, 并把大力開發(fā) 利用可再生能源作為可持續(xù)發(fā)展的重要內(nèi)容。 太陽能光伏技術(shù)在這種形勢下進(jìn)入了快速發(fā)展 的階段。 自 70 年代開始采用太陽能光伏技術(shù)以來,全世界已經(jīng)安裝的光伏發(fā)電系統(tǒng)超過了 2000MW。這些光伏發(fā)電系統(tǒng)主要集中在通訊、 管網(wǎng)保護(hù)、交通信號和邊遠(yuǎn)地區(qū)居民供電等。 近幾年來, 隨著光伏發(fā)電系統(tǒng)價(jià)格降低和性能提高, 其應(yīng)用范圍也越來越廣泛。 不少發(fā)達(dá)國 家開始實(shí)施太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)的屋頂計(jì)劃,系統(tǒng)總裝機(jī)容量超過了 200MW。其中德國西 門子太陽能公司在慕尼黑建成了 1MW 的世界上最大的太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)。與此同時(shí),一 些發(fā)展中國家在世

雙殼層ZnO/CdSe/CdTe納米電纜陣列的光伏應(yīng)用

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以ZnO納米棒陣列作為核,通過電化學(xué)沉積方法成功制備了致密的單殼層或者雙殼層ZnO/CdTe/CdSe,ZnO/CdTe和ZnO/CdSe納米電纜陣列光電極。對于ZnO/CdSe/CdTe納米電纜陣列,有序且具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的CdSe和CdTe納米殼層的厚度分別為10-20nm和7-15nm,兩者之間形成了連續(xù)致密的界面層。利用未接觸之前體材料之間的能帶偏移和接觸之后費(fèi)米能級的調(diào)整,對于雙殼層納米電纜陣列,推導(dǎo)出在CdSe/CdTe和CdTe/CdSe界面的能級調(diào)校。對比在ZnO/CdTe/CdSe納米電纜中CdTe/CdSe界面之間形成的負(fù)能帶偏壓-0.16eV,對于ZnO/CdSe/CdTe納米電纜,CdTe的能帶在CdSe的能帶之上,因而在CdSe/CdTe界面之間成了0.16eV的正導(dǎo)帶偏壓。這樣一個(gè)階梯式的能帶排列以及質(zhì)密的界面接觸,不僅使納米電纜沿著徑2向具有很少的晶界,同時(shí)沿軸向電子傳輸速率得到加快。因此,在45mW/cm的AM1.5G模擬光照2下,ZnO/CdSe/CdTe納米電纜陣列光電極的飽和光電流密度高達(dá)~14.3mA/cm,明顯高于ZnO/CdTe/CdSe,ZnO/CdSe和ZnO/CdTe納米電纜陣列。

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