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更新時間：2025.04.26
合成絕緣子串電壓分布計算和屏蔽環(huán)位置優(yōu)化

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將有限元法用于500 kV線路合成絕緣子串上電壓分布計算,計算結(jié)果用于屏蔽環(huán)位置的優(yōu)化。建立考慮屏蔽環(huán)、分裂導(dǎo)線、橫擔的三維靜電場模型,探討并選取模型合適的外邊界長度。計算并對比兩個屏蔽環(huán)多個位置組合的電壓分布,選取最優(yōu)的位置組合。

并行計算合成絕緣子串電壓分布及金具表面電場強度

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實際工程應(yīng)用中的大規(guī)模電磁場數(shù)值計算需要借助于并行計算。本文首先介紹了適合并行計算的非重疊型區(qū)域分解法?；诜侵丿B型區(qū)域分解法的有限元并行計算在單元分析和線性方程組的形成及求解上都是并行的,在傳統(tǒng)的只對線性方程組實行并行求解的方法的基礎(chǔ)上進一步提高了并行度。為了更精確地對500kV高壓輸電線路合成絕緣子串上的電位分布以及金具表面電場強度進行計算,建立三維有限元模型,并對該模型分別劃分為2～6個分區(qū)在本研究室構(gòu)建的機群環(huán)境下實行并行求解。結(jié)果表明并行計算能夠有效地提高電磁分析的計算效率,計算數(shù)據(jù)可作為優(yōu)化屏蔽環(huán)位置,以及確定并降低絕緣子端部電場強度的依據(jù)。

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