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由于布局結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性,CMOS集成電路可能存在多個(gè)潛在的寄生閉鎖路徑。各個(gè)閉鎖路徑因觸發(fā)劑量率和閉鎖維持電壓、閉鎖維持電流不同而相互影響,可能產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)閉鎖窗口。在詳細(xì)分析CMOS集成電路閉鎖特性的基礎(chǔ)上,建立了"三徑"閉鎖模型,對(duì)閉鎖窗口現(xiàn)象進(jìn)行了合理解釋。
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