造價(jià)通
更新時(shí)間：2025.04.20
《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題答桉

格式：pdf

大?。?span class="single-tag-height">892KB

頁(yè)數(shù)： 53頁(yè)

1 第 1章習(xí)題及答案 1.1．在圖題 1.1 所示的各電路圖中 E＝5V， tu i sin10 V，二極管的正 向壓降可忽略不計(jì)，試分別畫(huà)出輸出電壓 ou 的波形。 E + - E + - + - + - iu ou R D + - + - iu ou RD E + - + - + - iu ou R D E + - + - + - iu ou RD (a) (b) (c) (d) 圖題 1.1 解：（a）圖：當(dāng) iu > E 時(shí)， ou = E，當(dāng) iu < E 時(shí)， io uu 。 （b）圖：當(dāng) iu < E 時(shí)， oi uu ；當(dāng) iu > E 時(shí)， Eu o 。 （c）圖：當(dāng) iu < E 時(shí)， Eu o ；當(dāng) iu > E 時(shí)， io uu 。 （d）圖：當(dāng) iu > E 時(shí)， io uu ；當(dāng) iu < E 時(shí)， Eu o 。 畫(huà)出 ou 波形如圖所示。 2 Vui

大工19春《模擬電子技術(shù)》在線作業(yè)1【答案】

格式：pdf

大?。?span class="single-tag-height">12KB

頁(yè)數(shù)： 6頁(yè)

大工 19 春《模擬電子技術(shù)》 在線作業(yè) 1（答 案） (單選題 )1: 測(cè)得晶體管三個(gè)電極對(duì)地的電壓分別為 2V、6V、2.2V, 則該管 ()。 A: 處于飽和狀態(tài) B: 處于放大狀態(tài) C: 處于截止?fàn)顟B(tài) D: 已損壞 正確答案 : B (單選題 )2: 測(cè)得晶體管三個(gè)電極對(duì)地的電壓分別為 -2V、 -8V、 -2.2V, 則該管為 ()。 A: NPN 型鍺管 B: PNP 型鍺管 C: PNP 型硅管 D: NPN 型硅管 正確答案 : B (單選題 )3: 反向飽和電流越小 ,晶體管的穩(wěn)定性能 ()。 A: 越好 B: 越差 C: 無(wú)變化 D: 不確定 正確答案 : A (單選題 )4: 在共射、共集和共基三種基本放大電路中 ,輸出電阻最小的是 ()放大電路。 A: 共射極 B: 共集電極 C: 共基極 D: 不確定 正確答案 : B (單選題 )5: 對(duì) PNP 型晶體

熱門(mén)知識(shí)

模擬電子技術(shù)

精華知識(shí)

模擬電子技術(shù)

最新知識(shí)

模擬電子技術(shù)
點(diǎn)擊加載更多>>

相關(guān)問(wèn)答

模擬電子技術(shù)
點(diǎn)擊加載更多>>
專(zhuān)題概述
模擬電子技術(shù)相關(guān)專(zhuān)題

分類(lèi)檢索：