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通過對(duì)現(xiàn)有幾種瓷磚拋光機(jī)的磨拋過程進(jìn)行分析,建立了拋光運(yùn)動(dòng)數(shù)學(xué)模型,進(jìn)行軌跡仿真,比較了在不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)下磨紋的均勻性和磨削面積的大小,結(jié)果表明,行星端面磨拋光機(jī)在提高磨削效率和磨紋均勻性方面與其他幾種拋光機(jī)相比效果更為理想。
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根據(jù)側(cè)邊拋磨光纖實(shí)驗(yàn)結(jié)果,建立了帶拋磨過渡區(qū)側(cè)邊拋磨光纖的三維光學(xué)波導(dǎo)模型,用三維有限差分光束傳輸法計(jì)算和分析了側(cè)邊拋磨光纖的光傳輸特性。帶拋磨過渡區(qū)光纖波導(dǎo)模型的計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)吻合較好,此模型較好地反映了在側(cè)邊拋磨光纖中的光功率傳輸特性。計(jì)算分析表明,側(cè)邊拋磨區(qū)的長度對(duì)側(cè)邊拋磨光纖光傳輸特性有影響,但在拋磨區(qū)長度小于一定數(shù)值時(shí),傳輸損耗并不隨拋磨區(qū)長度的增加而單調(diào)增加。側(cè)邊拋磨光纖中,傳輸光由于拋磨過渡區(qū)的存在,光功率的衰減隨包層剩余厚度的變化關(guān)系不是單調(diào)的,存在多值現(xiàn)象。側(cè)邊拋磨區(qū)覆蓋物折射率對(duì)光傳輸特性的影響較大,特別是對(duì)光衰減影響很大。側(cè)邊拋磨區(qū)覆蓋物寬度和高度的變化也使光功率傳輸損耗呈振蕩變化。