增強型纜式線型感溫探測器
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硅基650nm增強型光電探測器
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通過在硅PIN結(jié)構(gòu)的基礎上進行改進,采用硅P+PIN結(jié)構(gòu),研制出650nm增強型光電探測器。詳細介紹了器件結(jié)構(gòu)設計和制作工藝。對器件響應度、暗電流和響應速度等參數(shù)進行計算與分析。實驗結(jié)果表明,器件響應度達0.448A/W(λ=650nm),暗電流達到0.1nA(VR=10V),上升時間達到3.2ns。
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