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采用失重法與鉛筆硬度計分析了拋光墊的組分對其溶脹率及干濕態(tài)硬度的影響,比較了固結磨料方法與游離磨料方法拋光后硅片的表面粗糙度。結果表明:拋光墊基體的溶脹率隨基體中聚乙二醇雙丙烯酸酯(PEGDA)或乙氧基化三羥基丙烷三丙酸酯(EO15-TMAPTA)含量的增加而提高;基體的干態(tài)硬度隨PEGDA含量的增加先有所增大,而后減小,隨EO15-TMAPTA含量的增加而增大;濕態(tài)下鉛筆硬度隨PEGDA或EO15-TMAPTA含量的增加而減小;光引發(fā)劑量的增加,有利于增大基體的干濕態(tài)硬度;固結磨料拋光硅片的去除速率是游離磨料加工的2~3倍,而前者拋光硅片后的表面粗糙度Ra為12.2nm,大于后者的4.32nm。
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