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Ⅰ-Ⅴ曲線是最基本也是最重要的表征太陽(yáng)能電池性能的方法。而在有機(jī)小分子器件中,各個(gè)界面的物理過(guò)程發(fā)揮至關(guān)重要的作用。因此,著重研究界面物理過(guò)程對(duì)于Ⅰ-Ⅴ曲線的影響。在實(shí)驗(yàn)中證實(shí)了S形Ⅰ-Ⅴ曲線來(lái)自于ITO/有機(jī)界面的衰減,并且提出了一個(gè)改良的器件等效電路模型。進(jìn)一步地,在ITO/有機(jī)界面處插入MoO_x層會(huì)顯著地抑制界面勢(shì)壘的產(chǎn)生,避免了S形Ⅰ-Ⅴ曲線的出現(xiàn),從而極大地延長(zhǎng)了器件的壽命。還發(fā)現(xiàn)給體材料CuPc與受體材料C_(60)中激子產(chǎn)生的光電流對(duì)負(fù)向偏壓的響應(yīng)完全不同,通過(guò)實(shí)驗(yàn)提出了在C_(60)層中三態(tài)激子-電子相互作用是導(dǎo)致這個(gè)現(xiàn)象的主要物理機(jī)制。
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