造價通
更新時間：2025.05.11
一個適用于短溝HALO結(jié)構(gòu)MOS器件的直接隧穿柵電流模型

格式：pdf

大?。?span class="single-tag-height">532KB

頁數(shù)： 5頁

對溝道長度從10μm到0.13μm,柵氧化層厚度為2.5nm的HALO結(jié)構(gòu)nMOS器件的直接隧穿柵電流進行了研究,得到了一個適用于短溝道HALO結(jié)構(gòu)MOS器件的直接隧穿柵電流模型.隨著溝道尺寸的縮短,源/漏擴展區(qū)占據(jù)溝道的比例越來越大,源漏擴展區(qū)的影響不再可以忽略不計.文中考慮了源/漏擴展區(qū)對直接隧穿柵電流的影響,給出了適用于不同HALO摻雜劑量的超薄柵(2~4nm)短溝(0.13~0.25μm)nMOS器件的半經(jīng)驗直接隧穿柵電流模擬表達式.

典型開關(guān)MOS電流波形的精細剖析

格式：pdf

大小：2.9MB

頁數(shù)： 6頁

反激開關(guān) MOSFET 源極流出的電流（ Is）波形的轉(zhuǎn)折點的分析。 很多工程師在電源開發(fā)調(diào)試過程中，測的的波形的一些關(guān)鍵點不是很清楚，下面針對反 激電源實測波形來分析一下。 問題一，一反激電源實測 Ids電流時前端有一個尖峰（如下圖紅色圓圈里的尖峰圖）， 這個尖峰到底是什么原因引起的？怎么來消除或者改善？ 大家都知道這個尖峰是開關(guān) MOS開通的時候出現(xiàn)的，根據(jù)反激回路， Ids電流環(huán)為 Vbus 經(jīng)變壓器原邊、然后經(jīng)過 MOS再到 Vbus形成回路。本來原邊線圈電感特性，其電流不 能突變，本應呈線性上升，但由于原邊線圈匝間存在的分布電容（如下圖中的 C），在 開啟瞬間，使 Vbus經(jīng)分存電容 C到 MOS 有一高頻通路，所以形成一時間很短尖峰。 下面再上兩個英文資料，上面的 C在下圖中等效于 Cp或者是 Ca 經(jīng)分析，知道此尖峰電流是變壓器的原邊分布參數(shù)造成，所以要從原邊繞線層與層指尖

精華知識

找一個低壓大電流mos管

最新知識

找一個低壓大電流mos管
點擊加載更多>>

相關(guān)問答

找一個低壓大電流mos管
點擊加載更多>>
專題概述
找一個低壓大電流mos管相關(guān)專題

分類檢索：