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國際整流器公司推出全新 MTP 隔離式開關模塊系列,專為大電流工業(yè)電源而設計,適用于高頻弧焊機及不間斷電源。它以氮化鋁陶瓷層進行絕緣,在結點與外殼間發(fā)揮更佳導熱性能。該絕緣層的熱傳導性(冷卻能力)比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600 V 和1200 V,把高速 IGBT 和優(yōu)化的二極管結合在同一封裝內,有助于節(jié)省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。在該系列器件中,50MT060ULS 是一款全絕緣低側斬波模塊,內含一個 IR 超快 IGBT 和一個具超軟逆恢復電流特性的 HEXFRED 二極管;50MTOboWH 是一款全絕緣半橋式模式,雙 IGBT 設計可有效控制功率耗散和電流分配。此外,IR 還提供兩款1200 V MTP 開關模塊:全絕緣的20 MT120 UF 全橋式及40 MT120 UH 半橋式模塊。它們可直接連接到大多數三相系統(tǒng)的直流總線。
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絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的串聯(lián)使用是一種較為有效的提高耐壓的方法。作為電感儲能型脈沖功率系統(tǒng)中的主斷路開關,IGBT串聯(lián)組合會在開關的動作瞬間在各串聯(lián)模塊兩端出現(xiàn)動態(tài)不均壓的現(xiàn)象。工程應用中,各串聯(lián)IGBT柵極驅動信號的不同步是導致動態(tài)不均壓的主要原因。文中分別從負載側被動均壓和柵極側主動均壓對驅動信號的同步性補償作用進行了理論分析和實驗驗證,結果表明均可以達到很好的動態(tài)均壓效果。在此基礎上提出利用阻容二極管有源均壓法實現(xiàn)多個IGBT模塊的串聯(lián)應用,仿真驗證了該方法在3個IGBT串聯(lián)應用中的可行性。對工程實際應用具有一定的參考意義。
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