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更新時(shí)間：2024.12.22
IGBT中頻電源的原理與檢修

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以不銹鋼、鋁制品壓接復(fù)合鍋底加工用IGBT中頻電源加熱機(jī)為例,介紹IGBT中頻電源的原理和檢修方法。這些檢修方法也適用于其它中頻電源設(shè)備。

IGBT并聯(lián)技術(shù)詳解

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IGBT 并聯(lián)技術(shù)技術(shù)詳解 IGBT 并聯(lián)均流問題 影響靜態(tài)均流的因素 1、并聯(lián) IGBT 的直流母 線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量，因 此需要盡量對(duì)稱； 2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二極管芯片的 VF的差異，因此盡量采取同一批次的產(chǎn)品。 3、 IGBT 模塊所處的溫度差異，設(shè)計(jì)機(jī)械結(jié)構(gòu)及風(fēng)道時(shí)需要考慮； 4、 IGBT 模塊所處的磁場(chǎng)差異； 5、柵極電壓 Vge 的差異。 影響動(dòng)態(tài)均流的因素 1、 IGBT 模塊的開通門檻電壓 VGEth 的差異， VGEth 越高， IGBT 開通時(shí)刻越晚， 不同模塊會(huì)有差異； 2、每個(gè)并聯(lián)的 IGBT 模塊的直流母線雜散電感 L 的差異； 3、門極電壓 Vge 的差異； 4、門極回路中的雜散電感量的差異； 5、 IGBT 模塊所處溫度的差異； 6、 IGBT 模塊所處的磁場(chǎng)的差異。 IGBT 芯片溫度對(duì)均流的影響 IGBT 芯片的溫度對(duì)于動(dòng)態(tài)均

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