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更新時間：2024.12.28
電子電氣產(chǎn)品構(gòu)架設(shè)計對EMC性能的影響

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針對產(chǎn)品架構(gòu)對產(chǎn)品的EMC(Electromagnetic Compatibility)性能產(chǎn)生影響的因素,以電子、電氣產(chǎn)品的設(shè)計架構(gòu)為例,從EMS(Electromagnetic Susceptibility)和EMI(Electromagnetic Interference)的角度分析了產(chǎn)品的架構(gòu)設(shè)計,包括產(chǎn)品的接地與浮地、接地的位置與方式、屏蔽線纜的設(shè)計、金屬外殼的接地設(shè)計、數(shù)?；旌想娐返慕拥氐葍?nèi)容。將上述因素對EMC性能的影響詳細(xì)分析,提出了合理的電子、電氣產(chǎn)品的架構(gòu)設(shè)計方式。

原子熒光光譜法測定電子電氣產(chǎn)品中的六價鉻

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樣品中的六價鉻用甲苯/堿液提取后,提取堿液過陽離子交換柱,六價鉻直接流出,流出液經(jīng)適當(dāng)稀釋后,以原子熒光光譜儀測定其含量。本方法優(yōu)化了工作參數(shù)條件,方法回收率均在88.7%—99.8%之間,相對標(biāo)準(zhǔn)偏差(n=6)均小于5%,實際樣品比對分析結(jié)果表明,方法具有良好的準(zhǔn)確度,適用于電子電氣產(chǎn)品中六價鉻的分析。

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