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采用磁控濺射法制備CdZnTe先驅(qū)薄膜/金屬Al膜的層疊結(jié)構(gòu),利用鋁誘導技術制備CdZnTe薄膜。通過原子力顯微鏡、X射線衍射、Raman光譜儀和半導體特性分析系統(tǒng),研究了鋁膜濺射功率對鋁誘導CdZnTe薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響。結(jié)果表明:隨著鋁膜濺射功率的增加,鋁誘導CdZnTe薄膜表面的薄膜結(jié)晶質(zhì)量、晶粒尺寸和薄膜電阻率先增大后減小。鋁誘導晶化的效果與鋁膜濺射功率有關,當鋁膜濺射功率達到100 W,CdZnTe薄膜的晶化誘導效果最顯著,薄膜結(jié)晶質(zhì)量最好,晶粒尺寸最大。
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