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更新時(shí)間：2025.01.04
軌道絕緣節(jié)阻抗在線測(cè)試儀的設(shè)計(jì)

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文中論述了軌道絕緣節(jié)阻抗在線測(cè)試儀的設(shè)計(jì)原理,以STM32F103VC Cortex-M3為核心,產(chǎn)生100 k Hz高頻方波信號(hào),由恒流源電路輸出到被測(cè)軌道絕緣節(jié)兩端,并由處理器內(nèi)部高速ADC對(duì)測(cè)量點(diǎn)兩端電壓值進(jìn)行采集,通過FIR濾波器濾除牽引電流回流及軌道各種頻率信號(hào),分離出能夠表征絕緣節(jié)阻抗變化的信號(hào)分量,最終計(jì)算出被測(cè)軌道絕緣節(jié)阻抗值。實(shí)驗(yàn)表明文中所研究的軌道絕緣節(jié)阻抗在線測(cè)試儀有一定應(yīng)用前景。

半導(dǎo)體化合物靶中射程參數(shù)的分子軌道法處理

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本文用分子軌道法處理半導(dǎo)體化合物靶中射程參數(shù)問題,提出了理論模型和計(jì)算方法. 處理中發(fā)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ族化合物一般呈正偏離偏差,Ⅱ-Ⅵ族化合物呈負(fù)偏離偏差.且發(fā)現(xiàn)偏離系數(shù)γ只與靶的化學(xué)鍵有關(guān),而在一定的能量范圍內(nèi),與注入能量及離子的關(guān)系不大. 對(duì)于呈閃鋅礦和纖鋅礦的半導(dǎo)體化合物,本文用sp~3雜化軌道處理它們的約化重疊積分S_(AB)問題,得出了普適的離子性△與γ系數(shù)關(guān)系,發(fā)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ族化合物的S_(AB)呈正值,而Ⅱ-Ⅵ族化合物的S_(AB)呈負(fù)值,這是引起γ不同的主要原因之一. 文內(nèi)對(duì)呈負(fù)偏離的He~+→CdS、CdTe,H~+→CdTe及B~+→CdHgTe系統(tǒng),正偏離的Si~+→GaAs,Li~+→Al_2O_3,Be~+→InP和 N~+→GaP系統(tǒng)的 Se(E)和射程參數(shù) R_p等實(shí)測(cè)值與計(jì)算值作了比較,均得到了滿意結(jié)果.

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