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回顧了近10年基于半導體中量子限制效應紅外探測器的進展.主要關(guān)注的是二維限制結(jié)構(gòu),即量子阱結(jié)構(gòu),形成的區(qū)別與傳統(tǒng)紅外光子探測的子帶躍遷機理.在紅外光電子領(lǐng)域作為新族的量子阱紅外探測器(quantum well infrared photo-detector,QWIP)與最典型的紅外探測器代表碲鎘汞紅外探測器進行了各自特色的分析,包括基本工作機理和材料與器件的制備技術(shù)等方面.對于QWIP發(fā)展的回顧提升了與碲鎘汞紅外探測器之間的互補關(guān)系.也給出了對于QWIP在未來發(fā)展方面的基本趨勢.
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