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更新時(shí)間：2025.01.05
光電倍增管暗電流和單光電子響應(yīng)

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PMT參數(shù)優(yōu)劣對(duì)閃爍體探測(cè)器性能至關(guān)重要。依據(jù)PMT的工作原理,建立PMT單光電子響應(yīng)(SER)函數(shù),搭建實(shí)驗(yàn)裝置,完成PMT響應(yīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)試,在常溫環(huán)境下測(cè)試了濱松CR194 PMT暗電流和單光電子信號(hào)。數(shù)字信號(hào)利用Roofit、Origin軟件進(jìn)行處理,得到暗電流和單光電子幅度值隨高壓變化的曲線圖。分析圖表,可得結(jié)論:在600~1 200 V之間,CR194 PMT暗電流響應(yīng)幅度值或SER幅度值隨工作電壓的增加而增加。電壓為1 000 V時(shí),PMT的穩(wěn)定性最好,1 000 V為實(shí)驗(yàn)的最佳工作電壓。

多陽(yáng)極光電倍增管前端四通道放大讀出芯片設(shè)計(jì)

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多陽(yáng)極光電倍增管目前應(yīng)用廣泛,其后續(xù)的常規(guī)PCB放大電路顯示出體積大、功耗大、噪聲高等缺點(diǎn),制作專用集成電路ASIC可以解決這些問(wèn)題?；诖祟惞怆姳对龉芴匦?在0.35μm CMOS工藝上,研制了4通道集成放大成形讀出電路,包含前放、增益調(diào)整、濾波成形等模塊。經(jīng)過(guò)測(cè)試,功耗為66 mW;增益為62.2 mV/pC,輸入動(dòng)態(tài)范圍13 pC,線性度1.5%,信噪比9,指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

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