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更新時(shí)間：2024.12.29
LED封裝技術(shù)大全

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LED 封裝技術(shù)大全 LED封裝所驅(qū)動(dòng)的功率大小受限于封裝體熱阻與所搭配之散熱模塊 (Rca) ，兩者決定 LED的 系統(tǒng)熱阻和穩(wěn)態(tài)所能忍受的最大功率值。 為降低封裝熱阻， 業(yè)者試圖加大封裝體內(nèi) LED晶粒 分布距離， 然 LED晶粒分布面積不宜太大， 過(guò)大的發(fā)光面積會(huì)使后續(xù)光學(xué)難以處理， 也限制 該產(chǎn)品的應(yīng)用。 不可一味將更多的 LED晶粒封裝于單一體內(nèi)， 以求達(dá)到高功率封裝目的， 因 為仍有諸多因素待考慮，尤其是對(duì)于應(yīng)用面。 多晶粒封裝材料不斷發(fā)展 隨著 LED封裝 功率提升，多晶粒封裝 (Multi-chip Package)成為趨勢(shì)，傳統(tǒng)高功率 LED 封裝多采用塑料射出之預(yù)成型導(dǎo)線(xiàn)架 (Pre-mold Lead Frame) 方式 (圖 1a)，封裝載體 (Carrier) 又稱(chēng)為芯片承載 (Die Pad)，為一連續(xù)的金屬塊，已無(wú)法滿(mǎn)足多晶粒串接之電性需 求，電性串并聯(lián)方式直

白光LED封裝技術(shù)

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第 1 頁(yè) 共 12 頁(yè) 白光 LED, 白光 LED 封裝技術(shù) 對(duì)于普通照明而言，人們需要的主要是白色的光源。 1998 年發(fā)白光的 LED 開(kāi)發(fā)成功。這種 LED 是將 GaN 芯片和釔鋁石榴石（ YAG） 封裝在一起做成。 GaN 芯片發(fā)藍(lán)光（ λp=465nm ，Wd=30nm ），高溫?zé)Y(jié)制成的含 Ce3+ 的 YAG 熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色 光，峰值 550nm 。藍(lán)光 LED 基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有 YAG 的樹(shù)脂薄層，約 200-500nm 。 LED 基片發(fā)出的藍(lán)光部分 被熒光粉吸收，另一部分藍(lán)光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到得白光?，F(xiàn)在，對(duì)于 InGaN/YAG 白色 LED，通過(guò)改變 YAG 熒光粉 的化學(xué)組成和調(diào)節(jié)熒光粉層的厚度，可以獲得色溫 3500-10000K 的各色白光。 白光就是有各種顏色光組成的 ,平常的太陽(yáng)光 ,日光燈都屬于白光 白

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