RF-PCVD低溫沉積無色透明類金剛石保護膜的工藝研究

為滿足罐頭行業(yè)多樣化的要求,介紹用正交實試法,研制無色透明罐頭內壁涂料。

采用電子輔助熱燈絲化學氣相沉積(ea-cvd)方法沉積大面積金剛石膜,在金剛石膜的沉積過程中,燈絲平面與襯底間距對金剛石膜沉積的影響會直接影響著金剛石膜的生長和質量。用raman手段對金剛石膜的生長特性進行了表征。

為了方便測量、記錄和交流金剛石膜的透光性,對用相機測定金剛石膜透光性的技術問題進行了研究。其原理是由相機的感光度、光圈、快門速度先得到一張級差為20%的25級金剛石膜透光性的速查表。測量中,得知膜的快門速度后查表,即可知膜的透光性級數和透光率。該法表征金剛石膜透光性的方式,可適用于多散點單參數膜25級平面坐標圖示法和單散點多參數膜相關信息元素的多項式法。該方法快速方便、簡單可靠,無需大型設備,保證了金剛石膜的完整性,觧決了整片金剛石膜透光性的測量、表征和分級的問題。

磷酸酯類阻燃劑系由胺類、磷酸和甲醛縮聚制得,可合成為固態(tài)或液態(tài)阻燃劑,分別用于各種高分子聚合物或木制品等的阻燃。對磷酸酯類阻燃劑的生產工藝進行了研究,并簡述了其阻燃機理及應用情況。

預處理對不銹鋼表面沉積類金剛石薄膜的影響

以葡萄酒為例,分析了用無色透明玻璃瓶裝果酒應當注意的細節(jié),提出在酒盒中添加遮光涂層、使用遮光瓶包、選用安全無毒的優(yōu)質玻璃瓶、瓶標與酒色保持一致等技術措施,并引用文獻說明這些措施是可行的。

以葡萄酒為例,分析了用無色透明玻璃瓶裝果酒應當注意的細節(jié),提出在酒盒中添加遮光涂層、使用遮光瓶包、選用安全無毒的優(yōu)質玻璃瓶、瓶標與酒色保持一致等技術措施,并引用文獻說明這些措施是可行的。

新近,日本橫濱橡膠公司開發(fā)出可以衰減由led光源發(fā)出的藍光,同時又是無色透明且小損害液晶顯示器原有的色彩的聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)薄膜"yf-r系列"產品。新開發(fā)的產品采用淺藍色光反射技術和控制薄膜透光率技術等小同

吹嘴三維實體如圖1所示,根據該制品特點設計模具。一、模具結構設計要點1.拆模通過對吹嘴三維實體圖的分析,吹嘴全長245mm,上有十六個扁長

1月14日，韓國環(huán)境部宣布其與韓國塑料瓶資源回收協會一起推動生產無色透明塑料瓶的工作。

化學氣相沉積(cvd)制備的金剛石膜表面粗糙且厚薄不均勻,在許多情況下不能直接使用,必須對其進行拋光。本文研究了不同型號的金剛石微粉對cvd金剛石厚膜研磨的影響,通過對研磨結果的比較分析,優(yōu)化出一種高質量高效率的拋光方法,即先采用w40和w28金剛石微粉,分別研磨2h,然后用w0.5金剛石微粉研磨4h。經掃描電子顯微鏡(sem)和原子力顯微鏡(afm)測試分析表明:金剛石膜的平均去除率為12.2μm/h,粗糙度ra由4.60μm降至3.06nm,說明該拋光方法能實現金剛石膜高質量、高效率的拋光。

雷地科技集團“國家863新材料產業(yè)化基地”目前在深圳奠基。該項目投資近2億元，占地約100畝，項目將分三期建設。該項目完成后，將成為亞洲最大的金剛石膜材料科研、生產基地。該基地將擁有2萬平方米的科研大廈，內設863新材料研發(fā)中心、航天材料研發(fā)中心、博士后工作站等。一期工程將在明年初投產后，

利用脈沖真空電弧離子鍍技術在3cr13不銹鋼基底上制備類金剛石(dlc)薄膜,采用x射線光電子能譜技術分析dlc薄膜中sp3鍵及sp2鍵含量和組分.采用顯微硬度計測試了薄膜的顯微硬度,利用掃描電鏡測試了膜的表面形貌.劃痕儀測試了薄膜與不銹鋼基底的結合強度.結果表明:所鍍制的類金剛石薄膜品質優(yōu)良,類金剛石中sp3鍵含量較高,sp3/sp2=1.63,具有良好的表面形貌,在不銹鋼上沉積dlc膜后明顯提高了不銹鋼的硬度,ti過渡層的引入明顯的改善了膜與不銹鋼之間的結合強度.

利用脈沖真空電弧離子鍍技術在3cr13不銹鋼基底上制備類金剛石（dlc）薄膜，采用x射線光電子能譜技術分析dlc薄膜中sp^3鍵及sp^2鍵含量和組分．采用顯微硬度計測試了薄膜的顯微硬度，利用掃描電鏡測試了膜的表面形貌．劃痕儀測試了薄膜與不銹鋼基底的結合強度．結果表明：所鍍制的類金剛石薄膜品質優(yōu)良，類金剛石中sp^3鍵含量較高，sp^3／sp^2-1．63，具有良好的表面形貌，在不銹鋼上沉積dlc膜后明顯提高了不銹鋼的硬度，ti過渡層的引入明顯的改善了膜與不銹鋼之間的結合強度．

　收稿日期:2001-05-30 　作者簡介:薛軍(1942-),男(漢族),江蘇無錫人,中國地質大學(北京)副研究員,科學鉆探國家專業(yè)實驗室專職研究人員,鉆探工程專業(yè),碩 士,從事巖石破碎學的教學及鉆頭、鉆具的研究工作,北京市海淀區(qū)學院路29號,(010)82323273;于松波(1971-),女(漢族),吉林松源人,吉 林油田責任有限公司測井公司技術員,從事測井技術及計算等工作。 關于薄壁金剛石鉆頭金剛石濃度的設計問題 薛　軍1,于松波2 (11中國地質大學〈北京〉,北京100083;21吉林油田責任有限公司測井公司,吉林松遼132000) 摘　要:簡要指出了薄壁金剛石鉆頭金剛石濃度合理設計的重要意義,提出了理論設計需要解決的幾個重要問題 和解決辦法,認為通過生產或實驗的檢驗與修正

18年高檔鋸片研發(fā)生產、銷售、修磨廠家 豐金銳刀具18年高檔鋸片研發(fā)生產、銷售、修磨廠家 金剛石鋸片的制造工藝 金剛石鋸片，一種普遍用于斷橋鋁、亞克力和石材切割的多刃工具。在整個金屬切 削史上，金剛石鋸片的出現，有力彌補了硬質合金鋸片與碳素鋼鋸片諸多的不足。 出色的切削性能是金剛石鋸片與生俱來的優(yōu)勢，同時由于鋸片的鋸齒采用了硬度更 大，更耐高溫的金剛石鋸齒，這也就使得金剛石鋸片的壽命很長。 那么制造金剛石鋸片的常見方法有哪些？ 方法一：冷壓燒結法 采用冷壓燒結法制造的金剛石鋸片，限于制造的技術水平，金剛石鋸片的直徑一般 會在400毫米以下。同時，冷壓燒結法具有生產成本低的優(yōu)勢，尤其是是一些濕式 鋸片，在制造的過程中，一般都會用到冷壓焊接法。 而采用該種制造工藝的金剛石鋸片，在切割花崗巖、混硬土、瀝青等較難鋸切型材 時，往往能夠確保鋸片穩(wěn)定地運行。 方法二：熱壓焊接法 對于生產金剛石鋸片

筑神-建筑下載:http://www.***.*** 天然金剛石 本標準適用于沒有經過人為加工的天然金剛石單晶或其碎塊。 一、分類 1　天然金剛石按有途作為： (1)工藝品用金剛石。 (2)拉絲模用金剛石。 (3)刀具用金剛石。 (4)硬度計壓頭用金剛石。 (5)地質鉆頭和石油鉆頭金剛石。 (6)砂輪刀用金剛石。 (7)玻璃刀用金剛石。 (8)金剛石及修整器用金剛石。 (9)磨料用金剛石。 二、技術要求 2　天然金剛石的技術指標，按不同用途分別規(guī)定如下： (1)工藝品用金剛石 --------------------------------------------------------------------- ------------ 級 別 晶體特征 規(guī)格

采用等離子體輔助化學氣相沉積(pecvd)法,在316l不銹鋼基體表面以不同的沉積氣壓和射頻功率制備出類金剛石(dlc)薄膜。拉曼光譜分析結果表明:所沉積的dlc膜具有典型的類金剛石膜結構,薄膜中sp3鍵含量隨工藝參數的不同而不同,射頻功率100w時,sp3鍵含量隨沉積氣壓增高而降低。接觸角測試結果表明:dlc膜沉積后,316l不銹鋼表面與生理鹽水和去離子水的接觸角均變大,潤濕性降低。

利用直流反應磁控濺射在柔性襯底(聚乙烯對苯二酸脂,pet)上低溫沉積了對可見光透明的低電阻率的zn_xcd_(1-x)o薄膜,并研究了zn含量x對zn_xcd_(1-x)o薄膜的結晶性能、電學性能及光學性能的影響.xrd分析結果表明,當x0.65時,薄膜為高度取向的zno結構.hall效應測試顯示,當x≤0.5時,薄膜的載流子濃度很高,電阻率為10~(-3)ω·cm的數量級;遷移率隨x增加先增大,在x=0.5處達到極大值,然后隨x的增加而降低.紫外可見透射譜表明,摻zn后的zn_xcd_(1-x)o薄膜在整個可見光波段內的透過率遠遠高于純cdo薄膜的透過率.綜合分析結果表明,x=0.5是低溫制備的低阻、高透光性能薄膜的最佳zn含量.

醫(yī)用316l不銹鋼植入物植入體內后,體內環(huán)境可導致其產生腐蝕和ni離子的析出。利用雙放電腔微波等離子體源全方位離子注入設備,采用等離子體源離子注入(plasmasourceionimplantation,psii)和等離子體增強化學氣相沉積(plasmaenhancedchemicalvapordeposition,pecvd)復合工藝在醫(yī)用316l不銹鋼表面沉積類金剛石薄膜,進行表面改性,以提高其在模擬體液環(huán)境中的腐蝕阻抗。掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡觀察發(fā)現,薄膜由納米粒子構成,膜層連續(xù)光滑。電化學腐蝕測試表明:采用psii+pecvd復合工藝制備的類金剛石薄膜與316l不銹鋼改性體系在(37±1)℃的troyde’s模擬體液中的自腐蝕電位約為120mv,體系的擊穿電位超過1.9v,與基體316l不銹鋼相比,其熱力學穩(wěn)定性與抗腐蝕性能得到增強,改性效果優(yōu)于單獨的pecvd工藝。

對直流電弧等離子體噴射化學氣相沉積技術,在φ76.2mm的si襯底上沉積得到的金剛石膜,通過sem和激光raman表征其質量均勻性。為緩解金剛石膜/si復合片的內應力,采用臺階式冷卻的方式,對樣品在1050℃進行真空退火處理,使樣品內的壓應力從3.09gpa減小到1.16gpa。對樣品生長面進行機械拋光,采用表面輪廓儀檢測其表面粗糙度均勻性。結果表明:在76.2mm的金剛石膜/si復合片上獲得的表面粗糙度小于5nm。

在eacvd(electron-assistedhotfilamentchemicalvapordeposition)金剛石膜沉積系統上制備出了摻硼金剛石厚膜電極,采用循環(huán)伏安法研究了摻硼金剛石厚膜電極和iro2/ta2o5鈦涂層電極電化學性能的差別,結果表明摻硼金剛石厚膜電極具有比iro2/ta2o5鈦涂層電極更寬的電勢窗口(約3.4v)和更低的背景電流(接近于零)。用所制備的摻硼金剛石厚膜電極和iro2/ta2o5鈦涂層電極對比處理高濃度難降解污水,通過測定污水處理過程中化學需氧量(chemicaloxygendemand,cod)的變化、觀察污水處理過程中顏色的變化、處理前后兩電極的sem照片研究了摻硼金剛石厚膜電極在污水處理中的應用,試驗表明摻硼金剛石厚膜電極比iro2/ta2o5鈦涂層電極處理污水效率更高、處理高濃度難降解污染物的能力更強,電極更加穩(wěn)定、耐腐蝕性更好,是一種很有應用前景的電極。