長波InAs/GaSbⅡ類超晶格紅外探測器
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報(bào)道了50%截止波長為12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ類超晶格長波紅外探測器材料及單元器件.實(shí)驗(yàn)采用分子束外延技術(shù)在GaSb襯底上生長超晶格材料.吸收區(qū)結(jié)構(gòu)為15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)以抑制長波器件暗電流.在77K溫度下測試了單元器件的電流-電壓(Ⅰ-Ⅴ)特性,響應(yīng)光譜和黑體響應(yīng).在該溫度下,光敏元大小為100μm×100μm的單元探測器RmaxA為2.5Ωcm2,器件的電流響應(yīng)率為1.29A/W,黑體響應(yīng)率為2.1×109cmHz1/2/W,11μm處量子效率為14.3%.采用四種暗電流機(jī)制對器件反向偏壓下的暗電流密度曲線進(jìn)行了擬合分析,結(jié)果表明起主導(dǎo)作用的暗電流機(jī)制為產(chǎn)生復(fù)合電流.
2~5μm InAs/GaSb超晶格紅外探測器
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采用分子束外延方法在gasb和gaas襯底上生長了不同周期厚度的inas/gasb高質(zhì)量ii型能帶結(jié)構(gòu)超晶格紅外探測器,其探測波長覆蓋2~5μm紅外波段。采用高分辨透射電子顯微鏡、原子力顯微鏡、x射線衍射測試、室溫與低溫光電流響應(yīng)譜及室溫與低溫光熒光譜等多種測試手段檢驗(yàn)了分子束外延生長在不同襯底上的超晶格材料質(zhì)量與光學(xué)質(zhì)量。該材料用于制造2~5μmgaas基與gasb基inas/gasb超晶格紅外探測器。在77k溫度下,2μm波段gaas基inas/gasb超晶格紅外探測器探測率為4×109cm·hz1/2/w,5μm波段gasb基inas/gasb超晶格紅外探測器探測率為1.6×1010cm·hz1/2/w。
紅外探測器發(fā)展需求
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由于未來作戰(zhàn)環(huán)境復(fù)雜,紅外探測技術(shù)發(fā)展面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn),而作為紅外型武器的核心——紅外探測器,正朝著高靈敏、寬譜段、高分辨率、低功耗、小型化和智能化的方向發(fā)展。通過回顧相關(guān)產(chǎn)業(yè)軍民兩用融合情況和紅外探測技術(shù)發(fā)展歷程,總結(jié)軍事發(fā)展對探測器新的要求,以確立新一代探測器發(fā)展方向。在詳細(xì)分析國外紅外探測器發(fā)展歷程和現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)介紹了國外紅外焦平面探測器的最新研制情況和成果,包括非制冷紅外探測器、制冷型紅外探測器、紅外雙色探測器等,并總結(jié)強(qiáng)調(diào)第三代紅外探測器需要在控制成本的同時(shí)不斷提高和改進(jìn)紅外焦平面探測系統(tǒng)的性能。最后概述了智能化紅外焦平面陣列的發(fā)展情況。
《紅外探測器》
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安東尼·羅格爾斯基(antonirogalski)教授撰寫的英文第2版《紅外探測器》(infrareddetectors)是在第1版的基礎(chǔ)上進(jìn)行了重大修訂,于2011年出版。周海憲和程云芳將之翻譯成中文,機(jī)械工業(yè)出版社于2014年1月份正式出版。本書有3個(gè)鮮明特點(diǎn):第一,內(nèi)容十分豐富。本書由4個(gè)部分共23章組成,既概述了紅外探測器的發(fā)展史(從第一個(gè)紅外探測器誕生開始),又詳細(xì)介紹了各種紅外探測器的當(dāng)前狀況,同時(shí)根據(jù)相關(guān)理論預(yù)測了其性能極限;第二,內(nèi)容非常系統(tǒng)。不僅介紹了紅外探測技術(shù)的基
氣動(dòng)型紅外探測器
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本發(fā)明提供一種氣動(dòng)型紅外探測器,它包括一個(gè)敏感腔和一個(gè)參考腔,它是通過測量其敏感腔的氣動(dòng)膨脹來探測紅外輻射的.其原理是,敏感腔吸收紅外輻射能量后,其溫度上升,從而發(fā)生氣動(dòng)膨脹.參考腔通過機(jī)械方法與敏感腔相連,它是用來控制敏感腔的氣動(dòng)膨脹的.這種膨脹或者用電學(xué)方法探測,或者用光學(xué)方法探測.
紅外探測器件
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本發(fā)明提供一種可在保持性能的同時(shí)降低功耗的紅外探測器件。該器件由一個(gè)熱釋電元件、一個(gè)i/v轉(zhuǎn)換電路、一個(gè)電壓放大電路、一個(gè)探測電路、一個(gè)輸出電路和一個(gè)驅(qū)動(dòng)電源電路組成。熱釋電元件產(chǎn)生一種基于入射紅外輻射的電流信號(hào);i/v轉(zhuǎn)換電路將電流信號(hào)轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào);電壓放大電路將該電壓信號(hào)中部分相關(guān)分量放大,產(chǎn)生一種分量被放大的電壓;
量子級(jí)聯(lián)紅外探測器
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半導(dǎo)體基中遠(yuǎn)紅外探測器在成像、傳感、國家安全以及國防領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用背景。目前,在這個(gè)領(lǐng)域最主流的技術(shù)之一是量子阱紅外探測器(qwips)。傳統(tǒng)的量子阱紅外探測器往往存在較大的暗電流和較低的工作溫度等限制。量子級(jí)聯(lián)探測器(qcds)是一種新型的光伏型量子阱紅外探測器。其工作原理基于電子吸收光子后在量子阱的子帶間躍遷并且激發(fā)態(tài)電子通過人工設(shè)計(jì)的勢能階梯形成無需外加偏置電壓的定向輸運(yùn)。這種基于新原理的紅外探測器一經(jīng)出現(xiàn)便引起人們高度的關(guān)注并經(jīng)歷了快速的發(fā)展。文中介紹了中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在量子級(jí)聯(lián)探測器研究方面的最新成果。
紅外探測器
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本書系從四十年代至一九七三年的公開雜志中選擇較有代表性的資料四十三篇編篡而成。編入時(shí)并對多數(shù)文章寫了評語,還補(bǔ)入了新發(fā)表的文獻(xiàn)資料。此書共分六大部分:一、現(xiàn)有紅外探測器特性系各類探測器性能水平的綜合介紹。二、紅外探測基礎(chǔ)介紹探測和外差探測原理、響應(yīng)率與探測度的計(jì)算以及各種噪聲。三、光子探測器介紹鉛鹽類、insb、hgcdte、pbsnte以及鍺摻汞和摻銅
紅外探測器領(lǐng)域初探
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紅外探測器是能對外界紅外光輻射產(chǎn)生響應(yīng)的光電傳感器,是目前傳感器領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)之一。本文介紹了紅外探測器技術(shù),梳理了紅外探測器的起源與技術(shù)發(fā)展趨勢,尤其關(guān)注非制冷紅外探測器的技術(shù)發(fā)展。
氣動(dòng)型紅外探測器
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美國專利us7485870(2009年2月3日授權(quán))本發(fā)明提供一種氣動(dòng)型紅外探測器,它包括一個(gè)敏感腔和一個(gè)參考腔,它是通過測量其敏感腔的氣動(dòng)膨脹來探測紅外輻射的。其原理是,敏感腔吸收紅外輻射能量后,其溫度上升,從而發(fā)生氣動(dòng)膨脹。參考腔通過機(jī)械方法與敏感腔相連,它是用來控制敏感腔的氣動(dòng)膨脹的。這種膨脹或者用電學(xué)方法探測,或者用光學(xué)方法探測。本專利說明書共33頁,其中有23張插圖。
一種新型紅外探測器的介紹——量子點(diǎn)紅外探測器
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本文簡單介紹了半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料的基本性質(zhì)及相應(yīng)的紅外探測器的工作原理,并舉例討論了幾種典型的量子點(diǎn)紅外探測器的結(jié)構(gòu)。最后,對量子點(diǎn)紅外探測器的主要優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行了總結(jié)。
焦平面紅外探測器應(yīng)用現(xiàn)狀
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焦平面紅外探測器應(yīng)用現(xiàn)狀 0引言 紅外探測器廣泛應(yīng)用于軍事、科學(xué)、工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和醫(yī)療衛(wèi)生等各個(gè)領(lǐng)域,尤其在軍事領(lǐng)域, 紅外探測器在精確制導(dǎo)、瞄準(zhǔn)系統(tǒng)、偵察夜視等方面具有不可替代的作用。近年來,紅外 探測器的需求不斷增加。據(jù)美國相關(guān)公司市場調(diào)研分析師預(yù)測,全球軍用紅外探測器需求 額有望在2020年達(dá)到163.5億美元,復(fù)合年均增長率為7.71%。 紅外探測器按探測機(jī)理可分為熱探測器和光子探測器,按其工作中載流子類型可以分為多 數(shù)載流子器件和少數(shù)載流子器件兩大類,按照探測器是否需要致冷,分為致冷型探測器和 非致冷型探測器。非致冷探測器目前主要是非晶硅和氧化釩探測器,致冷型探測器主要包 括碲鎘汞三元化合物、量子阱紅外光探測器ⅱ類超晶格等。 在過去的幾十年里,大量的新型材料、新穎器件不斷涌現(xiàn),紅外光電探測器完成了第一代 的單元、多元光導(dǎo)器件向第二代紅外焦平面器件的跨越,目前正朝
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