基于單分子層去除機(jī)理芯片化學(xué)機(jī)械拋光材料去除模型

磨料是化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)中重要的組成部分,是決定拋光平坦化的重要影響因素。采用兩步法制備了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(ps)核殼型復(fù)合磨料,采用掃描電子顯微鏡(sem)、透射電子顯微鏡(tem),x射線能量色散譜(edx)等對(duì)復(fù)合磨料進(jìn)行了表征。結(jié)果表明所制備的復(fù)合磨料具有核殼結(jié)構(gòu),且表面光滑。隨后復(fù)合磨料對(duì)比硅溶膠對(duì)銅化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行研究,采用原子力顯微鏡(afm)觀測(cè)表面的微觀形貌,并測(cè)量了表面粗糙度。經(jīng)過復(fù)合磨料拋光后的銅片粗糙度為0.58nm,拋光速率為40nm/min。硅溶膠拋光后的銅片的粗糙度是1.95nm,拋光速率是37nm/min。

在化學(xué)機(jī)械拋光過程中，拋光墊表面溝槽形狀是決定拋光墊性能的重要影響因素之一，它會(huì)直接影響拋光效果。在分析幾種常規(guī)拋光墊表面溝槽結(jié)構(gòu)形狀的特性的基礎(chǔ)上，介紹了新型拋光墊溝槽的研究進(jìn)展，分析了幾種新型拋光墊表面溝槽對(duì)拋光效果的影響，為化學(xué)機(jī)械拋光用的拋光墊表面溝槽特性的深入研究與分析提供參考。

拋光墊表面溝槽是決定拋光墊性能的重要因素之一。介紹了拋光墊表面溝槽的形狀、尺寸和傾斜角度等因素對(duì)拋光過程的影響規(guī)律,認(rèn)為:負(fù)螺旋對(duì)數(shù)型溝槽拋光墊的性能最佳,溝槽的深度和寬度會(huì)影響加工區(qū)域拋光液的平均駐留時(shí)間、混和效率及成分,溝槽的傾斜角度也會(huì)影響拋光效率,-20°傾斜角拋光墊的拋光效率最高。

采用有限元數(shù)值方法分析微電子材料化學(xué)機(jī)械平坦化(cmp)工藝過程中材料的變形和去除機(jī)理,得到作用在磨料顆粒上的力與名義壓力、磨粒含量以及墊板幾何和力學(xué)特性之間的關(guān)系,進(jìn)而建立起一個(gè)材料去除率(mrr)模型。利用該模型預(yù)測(cè)得到的材料去除率與懸浮液中磨料顆粒含量以及壓力間的關(guān)系與已有的實(shí)驗(yàn)結(jié)果相吻合,合理解釋了實(shí)驗(yàn)觀察到的現(xiàn)象。

拋光后光學(xué)元件仍然存在亞表面損傷,它降低光學(xué)元件的抗激光損傷能力和光學(xué)性能,為去除拋光亞表面損傷以提升光學(xué)元件使用性能,需要對(duì)其進(jìn)行準(zhǔn)確檢測(cè)和表征。首先,采用恒定化學(xué)蝕刻速率法和二次離子質(zhì)譜法分別檢測(cè)水解層深度和拋光雜質(zhì)的嵌入深度。然后,使用原子力顯微鏡檢測(cè)亞表面塑性劃痕的幾何尺寸。通過分析表面粗糙度沿深度的演變規(guī)律,研究淺表面流動(dòng)層、水解層和亞表面塑性劃痕間的依存關(guān)系。最后,建立拋光亞表面損傷模型,并在此基礎(chǔ)上探討拋光材料去除機(jī)理。研究表明:水解層內(nèi)包括淺表面流動(dòng)層、塑性劃痕和拋光過程嵌入的拋光雜質(zhì);石英玻璃水解層深度介于76和105nm之間;拋光過程是水解反應(yīng)、機(jī)械去除和塑性流動(dòng)共同作用的結(jié)果。

主要介紹自動(dòng)化機(jī)械拋光工藝的設(shè)計(jì)理念以及常用的拋光方式并論述拋光工藝的技術(shù)工序.通過詳細(xì)的分析了解工藝進(jìn)展?fàn)顩r,為更好地發(fā)展自動(dòng)化機(jī)械拋光工藝提供文字參考.

材料去除率是表征雙面拋光加工效率的重要參數(shù),也是影響工件表面質(zhì)量的關(guān)鍵因素?；陔p面拋光加工中工件運(yùn)動(dòng)過程的分析,通過向量法構(gòu)建了工件上任一點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)軌跡及其相對(duì)速度的數(shù)學(xué)模型。運(yùn)用preston模型,建立雙面拋光過程中材料去除特性方程,并輔助計(jì)算機(jī)軟件模擬了不同工藝條件下的材料去除特性。最后,通過微通道板的雙面拋光實(shí)驗(yàn),研究了不同工藝參數(shù)下的材料去除量,驗(yàn)證了理論模擬的正確性。

化學(xué)氣相沉積(cvd)制備的金剛石膜表面粗糙且厚薄不均勻,在許多情況下不能直接使用,必須對(duì)其進(jìn)行拋光。本文研究了不同型號(hào)的金剛石微粉對(duì)cvd金剛石厚膜研磨的影響,通過對(duì)研磨結(jié)果的比較分析,優(yōu)化出一種高質(zhì)量高效率的拋光方法,即先采用w40和w28金剛石微粉,分別研磨2h,然后用w0.5金剛石微粉研磨4h。經(jīng)掃描電子顯微鏡(sem)和原子力顯微鏡(afm)測(cè)試分析表明:金剛石膜的平均去除率為12.2μm/h,粗糙度ra由4.60μm降至3.06nm,說明該拋光方法能實(shí)現(xiàn)金剛石膜高質(zhì)量、高效率的拋光。

不銹鋼拋光材料拋光輥輪特性 漢通研磨：不銹鋼拋光材料拋光輥輪應(yīng)用于面積較大的不銹鋼板材、不同金屬板材的打磨、拋光，可 選擇不同磨料對(duì)表面處理。拋光材料拋光輥輪包括：尼龍拋光軸輥、拉絲刷輥、飛翼輪軸輥、尼龍輪拼輥、 卷緊輪等，用于電梯制造、不銹鋼板材卷板、廚具制造、銅鋁板材制品、人造大理石、高檔木地板、線路 板等拉絲拋光。常規(guī)及特殊規(guī)格可訂做，歡迎咨詢漢通客服。 拋光材料拋光輥應(yīng)用范圍：電梯制造、不銹鋼板材卷板、廚具制造、銅鋁板材制品、人造大理石、高 檔木地板、線路板等拉絲拋光。 拋光材料拋光輥產(chǎn)品特性：在高速自動(dòng)拋光機(jī)上使用打磨板材時(shí)產(chǎn)生高溫時(shí)飛翼輪軸輥不會(huì)熔粘上板 材，可以加水或液體使用、鋒利、耐用、自銳、防堵、光潔度高。 拋光材料輥輪加工范圍： 直徑：7.5cm--35.0cm（3寸--14寸） 厚度：20.0cm--150.0cm（8寸--60寸） 砂號(hào)：46#-

對(duì)將軍紅、濟(jì)南青花崗石進(jìn)行了磨削、拋光實(shí)驗(yàn),并選取拋光后的花崗石中的礦物輝石、斜長(zhǎng)石和石英,分別在掃描電鏡和透射電鏡下做了大量的微觀觀察和測(cè)定,研究了礦物的拋光層、拋光面及其形成機(jī)理,提出了花崗石拋光層、拋光面是在拋光過程中礦物表層微?；⑽⒘１砻嫒廴?、發(fā)生塑性變形而成的觀點(diǎn)。

提出一種采用模糊貼近度的評(píng)判方法,有效實(shí)現(xiàn)農(nóng)業(yè)機(jī)械的分類評(píng)判。通過建立評(píng)判集中每個(gè)評(píng)判元素的評(píng)判因素集,然后通過判別待評(píng)判的農(nóng)業(yè)機(jī)械評(píng)價(jià)指標(biāo)因素集與評(píng)判因素集的貼近度,判別農(nóng)業(yè)機(jī)械的所屬類別。

添加MnS改善材料機(jī)械加工性能的機(jī)理

本文立足于嵌入式控制芯片的顯著特征,結(jié)合筆者多年相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn),詳細(xì)分析了機(jī)械控制系統(tǒng)中嵌入式控制芯片的具體應(yīng)用,剖析了機(jī)械控制系統(tǒng)中嵌入式控制芯片的應(yīng)用前景。希望能為提高嵌入式控制芯片在機(jī)械控制系統(tǒng)中的應(yīng)用水平提供部分理論支撐。

較粗糙的表面是影響金剛石厚膜廣泛使用的因素之一。本文對(duì)cvd金剛石厚膜進(jìn)行了機(jī)械拋光的正交實(shí)驗(yàn)研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,影響拋光效率的因素依次為拋光盤的磨粒、轉(zhuǎn)速、正壓力和拋光面積。采用較大粒度的磨盤,適當(dāng)增加轉(zhuǎn)速和壓力有利于提高拋光的效率。此外用xrd方法對(duì)機(jī)械拋光前后的膜的殘余應(yīng)力進(jìn)行了測(cè)定和對(duì)比分析,結(jié)果表明,經(jīng)過機(jī)械拋光,殘余拉應(yīng)力明顯減小。

為解決不銹鋼電熱水壺在手工拋光方式中存在的污染嚴(yán)重、拋光效率低和質(zhì)量不穩(wěn)定等問題,成功自主研發(fā)了一套電水壺曲面自動(dòng)化機(jī)械拋光系統(tǒng),該系統(tǒng)采用了多磨具多工位的拋光方法,可夾持三個(gè)水壺同時(shí)進(jìn)行拋光,提高了拋光效率。為確保水壺表面拋光質(zhì)量,規(guī)劃了螺旋式刀具路徑,同時(shí)提出了基于示教法的拋光刀位數(shù)據(jù)生成方法,并利用nurbs曲線擬合的方法對(duì)刀具軌跡進(jìn)行優(yōu)化。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明,與手工拋光方式相比較,該方法大大提高了拋光質(zhì)量和效率。

提出了一種新的支持向量機(jī)(supportvectormachines,svm)機(jī)械系統(tǒng)狀態(tài)組合預(yù)測(cè)模型。應(yīng)用fpe(finalprincipleerror)準(zhǔn)則優(yōu)化樣本的維數(shù),采用時(shí)域內(nèi)的振動(dòng)烈度和頻域內(nèi)的特征頻率分量作為預(yù)測(cè)機(jī)械系統(tǒng)狀態(tài)的敏感因子,構(gòu)建了預(yù)測(cè)模型。支持向量機(jī)采用新型的結(jié)構(gòu)風(fēng)險(xiǎn)最優(yōu)化準(zhǔn)則,預(yù)測(cè)能力強(qiáng)、魯棒性好。采用徑向基函數(shù)和ε損失函數(shù),將該模型應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)臺(tái)和旋轉(zhuǎn)注水機(jī)組的狀態(tài)預(yù)測(cè),取得了較好的效果。這表明利用支持向量機(jī)的組合預(yù)測(cè)模型,可以降低設(shè)備維修代價(jià),提高設(shè)備的安全性和可靠性。

生態(tài)環(huán)境2004,13(1):98-101http://www.***.*** ecologyandenvironmente-mail:editor@eco-environment.com 基金項(xiàng)目：國(guó)家科技部“十五”重大專項(xiàng)（2002aa601023）；江蘇省高校省級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放基金項(xiàng)目（kjs03071） 作者簡(jiǎn)介：張軍（1976－），男，博士研究生，研究方向?yàn)樗廴究刂坪蜕鷳B(tài)毒性學(xué)。e-mail:zhj530@sina.com 收稿日期：2003-06-13 表面流人工濕地中氮磷的去除機(jī)理 張軍，周琪，何蓉 同濟(jì)大學(xué)環(huán)境科

為實(shí)現(xiàn)對(duì)橈足類生物泄露風(fēng)險(xiǎn)的高效控制,以猛水蚤為研究對(duì)象,開展了常規(guī)凈水工藝對(duì)橈足類生物的去除作用機(jī)理及效果研究,重點(diǎn)研究了猛水蚤去除與絮體顆粒形態(tài)特性關(guān)系和在石英砂濾床的分布規(guī)律.結(jié)果表明:優(yōu)化操作條件下,混凝沉淀和過濾對(duì)猛水蚤去除率均可達(dá)99%,最佳工況包括快速攪拌300r/min(1min)、中速攪拌150r/min(5min)和低速攪拌75r/min(5min),聚合氯化鋁(pac)投加量10mg/l,沉淀時(shí)間0.5h,濾速9m/h,過濾周期1d.混凝對(duì)猛水蚤的去除效率主要決定于猛水蚤與絮體的有效吸附,絮體顆粒粒徑越大、分形維數(shù)越低,猛水蚤去除率越高;過濾水沖刷攜帶引起的被動(dòng)遷移,是導(dǎo)致猛水蚤穿透砂濾池的主要原因,適當(dāng)降低濾速和縮短過濾周期,控制猛水蚤被動(dòng)遷移規(guī)模,可以達(dá)到提高猛水蚤去除率效果.

金相組織檢驗(yàn)工序，包括試樣制備，試驗(yàn)侵蝕，顯微組織 檢驗(yàn)，顯微照相等五步。拋光是金相試樣磨制工序中的最后一 道工序，其目的是消除試樣細(xì)磨時(shí)在磨面上留下的細(xì)微磨痕， 便之成為平整光亮無痕的鏡面。拋光由機(jī)械拋光、電解拋光、 化學(xué)拋光等方法。現(xiàn)就電解拋光和機(jī)械拋光進(jìn)行討論，分析他 們的區(qū)別。 1概念上區(qū)別 1.1機(jī)械拋光 機(jī)械拋光是是一種機(jī)械物理過程。粗拋時(shí)用帆布或粗呢， 細(xì)拋時(shí)用絨布、細(xì)呢或絲綢等。拋光過程中要不斷向拋光布上 倒入適量的水與cr2o3（或al2o3、mgo等）懸浮液。試樣的磨面 應(yīng)平正地壓在旋轉(zhuǎn)的拋光盤上，壓力不宜過大，并使試樣從拋 光盤邊緣到中心不斷地作徑向往復(fù)移動(dòng)。待試樣表面磨痕全 部被拋掉而呈現(xiàn)光亮鏡面時(shí)，拋光即可停止，并將試樣用水或 酒精洗干凈后轉(zhuǎn)入浸蝕。 1.2電解拋光 電解拋光是電化學(xué)溶解過程，以被拋工件為陽極，不溶性

在玻璃微流控芯片通道表面用硅烷化試劑二氯二甲基硅烷進(jìn)行處理后,二氯二甲基硅烷與玻璃通道表面的硅羥基反應(yīng),硅烷基覆蓋在原來的硅羥基上,其結(jié)果為電滲流減小甚至完全消除.進(jìn)一步采用全勢(shì)能線性糕模軌道分子動(dòng)力學(xué)方法,對(duì)表面反應(yīng)的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了理論計(jì)算,計(jì)算結(jié)果表明硅羥基中的氫原子與二氯二甲基硅烷中的氯原子結(jié)合形成穩(wěn)定的hcl分子結(jié)構(gòu)而脫離,從而使硅烷基覆蓋在表面上.

1 abstract themanipulatortechnologyinvolvestotheelectron,mechanics,theautomaticcontroltechnology, thesensortechnologyandthecomputertechnologyandsoonscientificfield,isaninterdisciplinary comprehensivetechnology.alongwiththeindustrialautomationneedtodevelop,themanipulator is gettingmoreandmoreimportantintheindustrialapplication.thearticlemainlyna

本實(shí)用新型提供一種電化學(xué)檢測(cè)用塑料芯片，由兩層pmma片制成的芯片和一層pcb板貼合而成，芯片上制有工作電極，工作電極碳纖維是用導(dǎo)電膠與導(dǎo)線相連的，然后再與工作電極接線端連接，pcb板上制有高壓電極、電化學(xué)檢測(cè)用電極或稱為參比電極和對(duì)電極和高壓地電極；在分離通道的末端制有電化學(xué)檢測(cè)池。本實(shí)用新型提供的電化學(xué)檢測(cè)用塑料芯片制造容易，成本低廉。