使開關穩(wěn)壓IC輸出電流增大到12倍的雙極晶體管
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圖1所示電路采用最少的外部元件,就可使0.5A補償型開關穩(wěn)壓集成電路的最大輸出電流提高到6A以上。該電路適用于15V～60V輸入電壓,根據(jù)所選開關穩(wěn)壓集成電路的不同,可提供3.3V、5V或12V三種輸出電壓。圖2是在高達60V的輸入電壓范圍內繪制的三種標準輸出電壓的轉換效率曲線。該電路適用于要求輸出電流、輸入電壓比標準集成電路高,或
絕緣柵雙極晶體管的設計要點 絕緣柵雙極晶體管的設計要點
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介紹了絕緣柵雙極晶體管(igbt)的基本結構和工作原理;討論了igbt各關鍵參數(shù)和結構設計中需要考慮的主要問題;分析了igbt設計中需要協(xié)調的幾對矛盾參數(shù)的關系以及影響igbt可靠性的關鍵因素。
電子輻照對開關電源中功率雙極晶體管損耗的影響 電子輻照對開關電源中功率雙極晶體管損耗的影響
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功率雙極晶體管的損耗是開關電源總損耗中的最多的器件之一,采用10mev電子輻照來降低功率雙極晶體管的下降延時,以此來降低功率雙極晶體管的關斷損耗。在一個典型的充電器開關電源中,85v交流輸入電壓下,功率雙極晶體管總損耗最多降低了42%,系統(tǒng)效率提高了2.1%。
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互補絕緣門極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開關器件 互補絕緣門極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開關器件
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第五章雙極型晶體管開關特性
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第五章雙極型晶體管開關特性
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第五章雙極型晶體管開關特性 (2)
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雙極型功率開關晶體管的新結構 雙極型功率開關晶體管的新結構
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雙極型功率開關晶體管的新結構
雙極型靜電感應晶體管的開關特性 雙極型靜電感應晶體管的開關特性
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根據(jù)雙極型靜電感應晶體管的通斷特性,提出了開關特性的測試方法。測試和給出了gji2d雙極型靜電感應晶體管的開關參數(shù)、曲線和反偏參數(shù)。將gji2d與國外的雙極型晶體管和功率場效應管進行了比較。
10kV絕緣柵雙極型晶體管固體開關的研制 10kV絕緣柵雙極型晶體管固體開關的研制
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4.3
采用8只ixlf19n250a絕緣柵雙極型晶體管串聯(lián)研制成功了10kv固體開關。試驗表明:該固體開關最高輸出電壓為14kv,最高輸出脈沖電流為20a、輸出脈沖寬度可在2112μs之間以1μs步長變化,脈沖重復頻率范圍為1hz4khz,短時間可以工作到8.6khz。
開關穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管精華文檔
雙極型靜電感應晶體管開關時間的測量與分析 雙極型靜電感應晶體管開關時間的測量與分析
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4.7
從理論和實驗兩方面對靜電感應晶體管（ｂｓｉｔ）的開關時間進行了分析和測量，提出了簡單的分析方法，將影響ｂｓｉｔ開關時間的各個因素歸結為結構因子和材料因子，從而簡化了分析影響ｂｓｉｔ開關時間的因素，對于ｂｓｉｔ的實際工藝、結構設計有指導意義。
16第三章晶體管的開關特性與擊穿電壓
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16第三章晶體管的開關特性與擊穿電壓
選用恰當?shù)某挽o態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器 選用恰當?shù)某挽o態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器
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4.5
靜態(tài)電流相同或極接近的超低靜態(tài)電流ldo的動態(tài)性能可能差異很大。有兩項主要因素決定了這些器件的動態(tài)性能。一是使用的半導體工藝,大多數(shù)當今ldo使用先進的cmos或bicmos技術制造;二是ldo設計中應用的技術。有幾種不同類型的超低靜態(tài)電流
在復合式晶體開關中晶體管IGBT的并聯(lián) 在復合式晶體開關中晶體管IGBT的并聯(lián)
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正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路 正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路
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4.4
過去,電荷泵電路主要應用于電壓反轉(v_(out)≈v_(in))或倍壓電路(v_(out)≈2v_(in))中,它們的輸出都不穩(wěn)壓,如icl7660、icl7662、max660等。近年來,利用電荷泵電路可進行升壓和降壓,并集成了新型穩(wěn)壓電路(電壓調節(jié)電路),開發(fā)出無電感器的dc/dc變換器,它就是正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路。本文介紹其主要特點、結構與工作原理及典型應用電路。
銻化銦晶體管工作電壓低、開關快
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基于雙極工藝的LDO線性穩(wěn)壓器的設計
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多路輸出直流穩(wěn)壓電源
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中南民族大學 課程設計 題目多路輸出直流穩(wěn)壓電源 學院計算機科學學院 專業(yè)自動化 班級一班 姓名 指導教師 2010年6月20日 電子技術課程設計 任務書 設計題目：多路輸出直流穩(wěn)壓電源 學生姓名：專業(yè)班級：自動化一班學號： 指導教師簽名：2010年6月20日 一、設計條件 1．可選元件（或自備元件）： 變壓器（±15v/15w）：一只 整流二極管或整流橋：若干 電阻、電容、電位器：若干 三端集成穩(wěn)壓器：若干 2．可用儀器：萬用表，示波器，毫伏表，信號發(fā)生器，直流穩(wěn)壓源 二、設計任務及要求 1．設計任務 根據(jù)技術要求和已知條件，完成對多路輸出直流穩(wěn)壓電源的設計、裝配與調試。 2．設計要求 （1）將220v/50hz交流電源轉換為五路直流穩(wěn)壓電源輸出：±12v
電壓輸出與電流成比例的改進型電流監(jiān)控器 電壓輸出與電流成比例的改進型電流監(jiān)控器
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4.6
本設計實例是對以往設計實例的擴展(參考文獻1)。原版采用一個電流變壓器,它的次級繞組構成一個振蕩器振蕩回路的一部分。正常條件下,流經電流變壓器單匝初級繞組的直流電流不會使電路保持振蕩,直到初級電流停止流動。雖然這個電路起到一個斷電檢測器的作用,
場板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機理研究 場板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機理研究
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4.3
通過實驗和數(shù)值器件仿真研究了鈍化gan高電子遷移率晶體管(hemts)、柵場板ganhemts和柵源雙層場板ganhemts電流崩塌現(xiàn)象的物理機理,建立了電流崩塌強度與帽層中載流子濃度、陷阱電離率和電場的內在聯(lián)系.研究結果表明,場板可以有效調制帽層中橫向和縱向電場的強度分布,并可有效調制縱向電場的方向,減弱柵極附近電場強度,增加場板下方電場強度,這會減弱柵極附近自由電子的橫向運動,增強場板下方自由電子的縱向運動,進而可以有效調制帽層中自由電子濃度的分布,提高陷阱的電離率,減小器件的電流崩塌.
過壓保護穩(wěn)壓器和浪涌電流限幅器 過壓保護穩(wěn)壓器和浪涌電流限幅器
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4.4
lt4356-3是一個新的可選版本，在故障情況下可以鎖斷工作。它也是一個產品系列的最新成員，這個產品系列用來抑制高壓浪涌和電流，以保護下游電子組件免受損壞。性能特點：電壓范圍為4～80v；可調輸出鉗位電壓；
雙輸入和雙穩(wěn)壓輸出穩(wěn)壓電路TAR8H01K 雙輸入和雙穩(wěn)壓輸出穩(wěn)壓電路TAR8H01K
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4.5
tar8h01k是日本東芝公司生產的低壓差(ldo)穩(wěn)壓器新品,東芝稱之為點穩(wěn)壓器,它是一種采用了超小型8引腳的封裝結構的雙輸入和雙穩(wěn)壓輸出(2.8v和3.0v)的穩(wěn)壓集成電路,通過其控制端可以使穩(wěn)壓輸出端導通和截止,并且具有過熱和過流保護功能。為手機、電池供電設備和其它可攜式消費電子產品等等提供了更小尺寸和更具成本效益的選擇。
一種低壓大電流直流電源的輸出電壓補償設計 一種低壓大電流直流電源的輸出電壓補償設計
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文中基于一種采用vicordc-dc轉換器設計的低壓大電流直流電源,通過采樣負載點電壓,外加反饋電路來調節(jié)轉換器輸出電壓,以補償在大電流傳輸時負載線上的電壓降,從而達到穩(wěn)定負載點電壓的目的。本文詳細分析了電壓補償電路的原理,介紹了元器件選擇方法,并通過電壓補償電路的設計和測試驗證了該電路的可行性。
美國研究者推出具有p型掩埋層電流阻斷的垂直氮化鎵晶體管 美國研究者推出具有p型掩埋層電流阻斷的垂直氮化鎵晶體管
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加利福利亞圣芭芭拉大學和亞利桑那州立大學近期研制出一種氮化鎵電流孔徑垂直電子晶體管(cavet),該產品擁有p型掩埋層,能產生反向偏置pn結。cavet將二維電子氣和垂直結構相結合,在鋁鎵氮/氮化鎵界面處的二維電子氣能提供較高的導電性能,而垂直結構能使得產品在較低峰值的條件下具有較好的電場分布。
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職位：市政給排水工程師
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