更新日期: 2025-03-30

ZnO@SiO_2同軸納米電纜的靜電紡絲技術制備與表征

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ZnO@SiO_2同軸納米電纜的靜電紡絲技術制備與表征 4.6

采用同軸靜電紡絲技術,以硝酸鋅、正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、無水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)為原料,成功制備出大量的ZnO@SiO2同軸納米電纜。用TG-DTA,XRD,SEM,TEM,FTIR等分析技術對樣品進行了表征。結果表明,得到的ZnO@SiO2同軸納米電纜的殼層為無定型SiO2,厚度為50nm,芯軸為晶態(tài)ZnO,電纜直徑為300~450nm,長度大于300μm。探討了ZnO@SiO2同軸納米電纜的形成機理。

同軸靜電紡絲技術制備ZnO@CeO_2納米電纜 同軸靜電紡絲技術制備ZnO@CeO_2納米電纜 同軸靜電紡絲技術制備ZnO@CeO_2納米電纜

同軸靜電紡絲技術制備ZnO@CeO_2納米電纜

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采用同軸靜電紡絲技術,以硝酸鈰、硝酸鋅、聚乙烯吡咯烷酮、n,n-二甲基甲酰胺、甘油和氯仿為原料,制備了zno@ceo2同軸納米電纜.用差熱-熱重分析、x射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡和能譜儀對樣品進行了表征.結果表明,所得產物為zno@ceo2同軸納米電纜,以晶態(tài)ceo2為殼層,晶態(tài)zno為芯層,電纜直徑約90nm,芯層直徑約60nm,殼層厚度約15nm,電纜長度大于300μm,并分析了其形成機理.

同軸靜電紡絲技術制備Y2O3:Eu^3+@SiO2豆角狀納米電纜與表征 同軸靜電紡絲技術制備Y2O3:Eu^3+@SiO2豆角狀納米電纜與表征 同軸靜電紡絲技術制備Y2O3:Eu^3+@SiO2豆角狀納米電纜與表征

同軸靜電紡絲技術制備Y2O3:Eu^3+@SiO2豆角狀納米電纜與表征

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采用同軸靜電紡絲技術,以氧化釔、氧化銪、正硅酸乙酯(c8h20o4si)、無水乙醇、pvp和dmf為原料,成功制備出大量的y2o3:eu^3+@sio2豆角狀納米電纜.用tg-dta,xrd,sem,tem和熒光光譜等分析技術對樣品進行了系統(tǒng)地表征.結果表明,得到的產物為y2o3:eu^3+@sio2豆角狀納米電纜,以無定型sio2為殼層,晶態(tài)y2o3:eu^3+球為芯,電纜直徑約為200nm,內部球平均直徑約150nm,殼層厚度約為25nm,電纜長度〉300μm.納米電纜內部為球狀結構,沿著纖維長度方向有序排列,形貌均一.y2o3:eu^3+@sio2豆角狀納米電纜在246nm紫外光激發(fā)下,發(fā)射出eu^3+離子特征的波長為614nm的明亮紅光.對其形成機理進行了初步討論.

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同軸靜電紡絲技術制備Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角狀納米電纜與表征 同軸靜電紡絲技術制備Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角狀納米電纜與表征 同軸靜電紡絲技術制備Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角狀納米電纜與表征

同軸靜電紡絲技術制備Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角狀納米電纜與表征

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同軸靜電紡絲技術制備Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角狀納米電纜與表征 4.6

采用同軸靜電紡絲技術,以氧化釔、氧化銪、正硅酸乙酯(c8h20o4si)、無水乙醇、pvp和dmf為原料,成功制備出大量的y2o3:eu3+@sio2豆角狀納米電纜.用tg-dta,xrd,sem,tem和熒光光譜等分析技術對樣品進行了系統(tǒng)地表征.結果表明,得到的產物為y2o3:eu3+@sio2豆角狀納米電纜,以無定型sio2為殼層,晶態(tài)y2o3:eu3+球為芯,電纜直徑約為200nm,內部球平均直徑約150nm,殼層厚度約為25nm,電纜長度>300μm.納米電纜內部為球狀結構,沿著纖維長度方向有序排列,形貌均一.y2o3:eu3+@sio2豆角狀納米電纜在246nm紫外光激發(fā)下,發(fā)射出eu3+離子特征的波長為614nm的明亮紅光.對其形成機理進行了初步討論.

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靜電紡絲制備Al_2O_3陶瓷納米纖維 靜電紡絲制備Al_2O_3陶瓷納米纖維 靜電紡絲制備Al_2O_3陶瓷納米纖維

靜電紡絲制備Al_2O_3陶瓷納米纖維

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靜電紡絲制備Al_2O_3陶瓷納米纖維 4.6

本文采用靜電紡絲方法,制備出al_2o_3陶瓷納米纖維。做為結構陶瓷,al_2o_3陶瓷納米纖維具有潛在的應用價值。

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熔體靜電紡絲法制備mLLDPE纖維的研究

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熔體靜電紡絲法制備mLLDPE纖維的研究 4.7

茂金屬催化劑聚合得到的線性低密度聚(mlldpe)纖維是近年來發(fā)展非常迅速的一種塑料品種,正在逐漸地取代傳統(tǒng)聚乙烯產品。本文研究了熔體靜電紡絲法制備線性低密度聚乙烯纖維,通過添加劑改性,首次成功制備了直徑為10~80μm的mlldpe纖維。對不同紡絲參數,包括紡絲電壓、接收距離、紡絲溫度及添加劑用量對mlldpe纖維直徑與形貌的影響進行了研究,得到熔體靜電紡mll-dpe的最佳條件為紡絲電壓25kv、接收距離2cm、紡絲溫度160℃、聚乙烯蠟添加量30%。對mll-dpe纖維的結晶性能與紡絲溫度及聚乙烯添加量之間的關系也進行了探討。

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靜電紡絲法制備納米結構復合電阻型濕度傳感器

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靜電紡絲法制備納米結構復合電阻型濕度傳感器 4.7

通過靜電紡絲法制備了具有納米纖維結構的含硅聚電解質/聚苯胺/peo復合濕敏元件。研究發(fā)現(xiàn):元件具有快的響應速度(吸濕7s,脫濕19s)。在22-95%rh的濕度范圍內,電阻變化3個數量級,具有較高的靈敏度,較好的響應線性度(r2=0.966)和小的濕滯(2%rh)。通過聚二烯丙基二甲基氯化銨預先對電極表面進行修飾,可以有效改善納米纖維膜與電極基體的接觸,降低電阻。

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靜電紡絲技術制備聚苯乙烯/石墨烯復合納米纖維 靜電紡絲技術制備聚苯乙烯/石墨烯復合納米纖維 靜電紡絲技術制備聚苯乙烯/石墨烯復合納米纖維

靜電紡絲技術制備聚苯乙烯/石墨烯復合納米纖維

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靜電紡絲技術制備聚苯乙烯/石墨烯復合納米纖維 4.5

通過靜電紡絲技術制備了聚苯乙烯/石墨烯復合納米纖維膜,利用掃描電子顯微鏡、傅里葉變換紅外光譜、粉末x-射線衍射和激光拉曼光譜等技術對所制備的纖維膜結構和組成進行表征,并通過電化學法考察該復合納米纖維膜的電活性。結果表明,石墨烯已摻雜到聚苯乙烯纖維中。與聚苯乙烯纖維膜相比,聚苯乙烯/石墨烯復合納米纖維膜導電性能增強,表明本實驗成功實現(xiàn)了對聚苯乙烯纖維的改性。

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靜電紡絲法制備三維聚二甲基硅氧烷納米通道 靜電紡絲法制備三維聚二甲基硅氧烷納米通道 靜電紡絲法制備三維聚二甲基硅氧烷納米通道

靜電紡絲法制備三維聚二甲基硅氧烷納米通道

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靜電紡絲法制備三維聚二甲基硅氧烷納米通道 4.8

利用靜電紡絲技術構建了新型三維納米通道系統(tǒng)。在不同質量分數的聚苯乙烯(ps:mw=1.3×105)溶液中加入一定量十二烷基磺酸鈉(sds),于不同電壓下進行靜電紡絲。所得纖維在90℃加熱粘連后,形成三維聚苯乙烯納米網絡模板,然后于聚二甲基硅氧烷(pdms)預聚體(含10%交聯(lián)劑)灌注進入上述模板并交聯(lián)形成網絡復合材料,再用二硫化碳超聲除去聚苯乙烯纖維。采用掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡對纖維模板形貌和納米通道進行了表征。結果表明,質量分數為10%的ps溶液加入0.5%sds,在20kv電壓下進行靜電紡絲,得到直徑為150nm的纖維。sds的加入對紡絲纖維具有平滑作用,使得粘連的纖維模板更易去除,形成的三維納米通道直徑約160nm,與纖維模板直徑一致。該類型納米通道可以應用于醫(yī)學藥物載體、納流控芯片等眾多領域。

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靜電紡絲納米纖維在骨組織工程中的應用 靜電紡絲納米纖維在骨組織工程中的應用 靜電紡絲納米纖維在骨組織工程中的應用

靜電紡絲納米纖維在骨組織工程中的應用

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靜電紡絲納米纖維在骨組織工程中的應用 4.6

靜電紡絲納米纖維技術在生物醫(yī)學領域有著廣泛的應用研究,其在骨組織工程應用中仍未解決的問題是同時滿足材料的生物相容性、可降解性、生物活性和力學性能。骨組織工程主要構成要素是支架、細胞和生長因子。靜電紡絲復合納米纖維支架材料具有納米級別的天然骨分級結構和天然骨的多孔結構,改進復合支架材料可促進細胞的浸潤生長、干細胞分化和組織形成。本文重點探討通過靜電紡絲技術改進復合支架的性能,及其在動物實驗研究方面的最新進展。

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同軸納米電纜的靜電紡絲技術制備與表征精華文檔

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用乙二醇為還原劑制備Ag/C同軸納米電纜

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用乙二醇為還原劑制備Ag/C同軸納米電纜 4.5

利用一種簡單的有機物乙二醇作為還原劑和碳源,采用簡單溫和的水熱方法制備出ag/c同軸納米電纜.用sem、tem、xrd、uv-vis和ft-ir對產物進行了表征,探索了制備ag/c同軸納米電纜的最佳條件是溫度為180℃、ch2so4=2mol·l-1,并且提出了可能的反應機制.

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雙極性雙噴頭靜電紡絲裝置的設計與應用 雙極性雙噴頭靜電紡絲裝置的設計與應用 雙極性雙噴頭靜電紡絲裝置的設計與應用

雙極性雙噴頭靜電紡絲裝置的設計與應用

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雙極性雙噴頭靜電紡絲裝置的設計與應用 4.4

從低維納米復合材料的制備技術和制備工藝入手,設計開發(fā)了雙極性雙噴頭靜電紡絲裝置,解決了單極性噴頭同性相斥不能獲得交織的異質材料的問題,實現(xiàn)了帶有不同極性的兩種金屬氧化物紡絲前驅液的交織復合,成功制備了金屬氧化物sno2/in2o3復合納米纖維。通過對sno2/in2o3復合納米纖維的sem表征發(fā)現(xiàn),復合纖維中同時存在正四方相晶系的sno2和立方晶系結構的in2o3。利用雙極性雙噴頭靜電紡絲裝置制備復合納米纖維對復合材料制備技術的發(fā)展具有深遠意義。

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Au/SnO_2異質同軸納米電纜 Au/SnO_2異質同軸納米電纜 Au/SnO_2異質同軸納米電纜

Au/SnO_2異質同軸納米電纜

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Au/SnO_2異質同軸納米電纜 4.4

本文報道了一種新型的au/sno2金屬-半導體異質同軸納米電纜結構。通過透射電鏡表征,發(fā)現(xiàn)其軸心為沿特定方向生長的單晶au納米線,而殼層則為沿[100]方向生長的單晶sno2,整體看來就如同一根單晶au納米線外套了一根單晶sno2納米管。管的兩端是封閉的,而au軸則幾乎貫穿整個管,只在端部與sno2之間有一定間隙。本文討論了納米電纜可能的生長機制,而空隙應該是由于兩者的熱膨脹系數不同所致。

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C納米管包裹的金屬鈷納米線(管)同心電纜的制備與表征 C納米管包裹的金屬鈷納米線(管)同心電纜的制備與表征 C納米管包裹的金屬鈷納米線(管)同心電纜的制備與表征

C納米管包裹的金屬鈷納米線(管)同心電纜的制備與表征

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C納米管包裹的金屬鈷納米線(管)同心電纜的制備與表征 4.4

theconcentriccableofcobaltnanowires(nanotubes)encapsulatedincarbonnanotubeshasbeenpreparedbyusing“secondordertemplate”method,combinedwithelectrodeposition.theproductswerecharacterizedbysem,tem,xrdandraman,respectively.thec/cocompositenanowires(nanotubes)wereabout60μminlength,andthethicknesscanbeadjustedbychangingthereactionconditions.thismethodcouldbeextendedtoconstructanarrayofmultilayernanotubes,composedofvariousmetals,encapsulatedincarbonnanotubes.

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靜電紡絲素-明膠管狀支架的結構與性能 靜電紡絲素-明膠管狀支架的結構與性能 靜電紡絲素-明膠管狀支架的結構與性能

靜電紡絲素-明膠管狀支架的結構與性能

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靜電紡絲素-明膠管狀支架的結構與性能 4.5

為研制組織工程小口徑血管,以良好生物相容性的絲素蛋白、明膠為原料,通過靜電紡絲法,以高速旋轉的滾軸為收集裝置,構建了絲素-明膠管狀支架(直徑為4.5mm)。測定其形貌結構、孔隙率和溶失率,并在該支架上進行人臍靜脈內皮細胞(huvecs)培養(yǎng)實驗。結果表明:在絲素-明膠質量比例為70∶30、紡絲液質量分數為13%、滾軸轉速為1000r/min的條件下靜電紡絲,可獲得纖維直徑較細、纖維分布較均勻、具有較高孔隙率的絲素-明膠管狀支架;隨著紡絲液質量分數的提高,絲素-明膠管狀支架的溶失率降低,乙醇處理后管狀支架溶失率大大降低;mtt顯示細胞可以在支架上生長、增殖。

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同軸納米電纜的靜電紡絲技術制備與表征最新文檔

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高壓靜電紡絲法制備EVOH/TiO_2無紡布

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高壓靜電紡絲法制備EVOH/TiO_2無紡布 4.8

采用高壓靜電紡絲技術,以異丙醇/水為混合溶劑,制備了聚乙烯-乙烯醇(evoh)/二氧化鈦(tio2)無紡布;通過掃描電子顯微鏡、差示掃描量熱儀及熱失重儀對其微觀形貌、熱性能進行了研究分析;結果表明:經tio2摻雜改性后,無紡布的纖維直徑減小,孔徑降低,無紡布的結晶度降低,熔點變化不大,耐熱性下降。

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高壓靜電紡絲法制備聚酰亞胺超細纖維無紡布膜

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高壓靜電紡絲法制備聚酰亞胺超細纖維無紡布膜 4.8

采用制備聚合物納米纖維的一種簡易的重要基本方法,即靜電紡絲技術,以實驗室合成的聚酰胺酸(paa)溶液為紡絲溶液,采用自制靜電紡絲機進行電紡得到paa纖維無紡布膜。采用傅立葉變換紅外光譜分析技術對無紡布膜的化學結構進行了表征分析;由paa及聚酰亞胺(pi)無紡布膜的譜圖吸收峰對比分析得知,纖維熱酰亞胺化的程度是比較完全的;但由相應吸收峰對比分析得知,熱酰亞胺化的程度并沒有達到100%。

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殼聚糖/聚氧乙烯復合紡絲液性能對靜電紡絲的影響

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殼聚糖/聚氧乙烯復合紡絲液性能對靜電紡絲的影響 4.4

為了研究殼聚糖/聚氧乙烯復合紡絲液性能對靜電紡絲的影響,利用質量分數為3%的殼聚糖(cs)與聚氧乙烯(peo)以不同的質量比溶解在濃度為50%的冰乙酸水溶液中制備了cs/peo復合紡絲液,采用靜電紡絲技術制備了cs/peo復合納米纖維。用掃描電子顯微鏡(sem)對制備出的cs/peo復合納米纖維進行表征,并測試了cs/peo復合紡絲液的溶液性能。從復合紡絲液性能對靜電紡纖維成型的影響機理角度對實驗結果進行了分析。分析結果表明,在其他靜電紡絲參數一定時,紡絲液黏度影響射流的穩(wěn)定性,從而影響纖維的形貌和直徑。只要紡絲液電導率在合適的范圍內,對靜電紡的影響不大。從泰勒的臨界公式中得出了紡絲液臨界電壓與紡絲液表面張力最佳值的一一對應關系,并與本實驗中的實驗數據相吻合。

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銅/碳納米管復合材料的制備與表征 4.7

報道了在多壁碳納米管(mwnts)表面修飾聚丙烯酸(分子量為500~1000)作為親水層,改善納米管在水溶液中的溶解性,減少碳管自身團聚,順利實現(xiàn)碳納米管表面化學鍍銅。同時也考察了溫度、時間、攪拌速度等因素對鍍層的影響,確定中性條件在碳納米管表面鍍銅的最佳條件。

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納米TiO_2玻璃膜的制備與表征

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納米TiO_2玻璃膜的制備與表征 4.8

以鈦酸丁酯和無水乙醇為原料,加硝酸銀引入銀離子,采用溶膠凝膠法和浸漬提拉法在玻璃表面施涂膜層,控制提拉速度6cm/min,經500℃熱處理,制得均勻透明的多孔納米tio2玻璃.通過對樣品xrd、sem等分析的研究,二氧化鈦薄膜主要呈銳鈦礦相,而且其納米顆粒大小在50-100nm范圍.以大腸桿菌為菌種,對樣品進行抗菌測試結果表明:銀的抗菌機理為銀離子接觸抗菌,添加少量銀離子,薄膜即有良好的抗菌能力.透光率分析表明納米tio2玻璃的透光性較好,在可見光范圍內相對于普通玻璃的透光率在65%以上.

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聚苯胺納米矩形管的制備與表征 聚苯胺納米矩形管的制備與表征 聚苯胺納米矩形管的制備與表征
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模板法組裝尼龍-66/鉑同軸納米電纜的研究 4.5

采用簡單的溶液浸潤多孔氧化鋁模板的方法制備了pa66的納米管,再以這種含有pa66納米管的模板作為“二次模板”,通過電化學沉積技術,在聚合物納米管內部沉積金屬鉑納米線,制得了pa66/鉑同軸納米電纜。用sem和tem等測試手段對所制備的聚合物納米管和同軸納米電纜進行了表征。

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螺旋碳納米管的制備、表征及性能

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螺旋碳納米管的制備、表征及性能 4.5

采用溶膠-凝膠結合氫氣還原方法制備了ni納米顆粒,并用這種ni納米顆粒作為催化劑,通過催化裂解乙炔的方法在425℃制備了螺旋度較高且呈對稱生長的螺旋碳納米管。結果表明,本方法簡單、成本低、環(huán)境友好,可大量制備高純度螺旋碳納米管。場發(fā)射掃描電鏡(fe-sem)及高分辨透射電鏡(hr-tem)圖片表明,通常情況下兩根旋向相反的螺旋碳納米管生長在一個催化劑顆粒上,且這種納米螺旋呈空心管狀。x射線衍射及拉曼光譜分析表明,所得樣品成分為有缺陷的石墨結構和鎳多晶,未發(fā)現(xiàn)其他雜相。此外,對樣品的磁性及微波吸收性能進行了研究。

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納米羥基磷灰石/絲素蛋白多孔支架材料的制備和表征

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納米羥基磷灰石/絲素蛋白多孔支架材料的制備和表征 4.5

采用硝酸鈣-絲素蛋白溶液與磷酸鈉反應仿生合成納米羥基磷灰石/絲素蛋白(n-ha/sf)復合材料,并以nahco3和nacl為致孔劑制備了多孔復合支架材料,采用tem、ir、sem和edx對其進行了表征。結果表明,復合材料中ha的粒徑在20~50nm之間,是一種co32-部分替代型弱結晶類骨針晶,在形貌和尺寸等方面類似于人體骨磷灰石晶體;ha和sf兩相間存在強烈的鍵合作用,復合支架材料呈高度多孔結構,孔壁上富含微孔,孔隙間貫通性高。edx分析結果表明,ha在有機基體中分布均勻,鈣磷元素比為1.66,當復合材料和致孔劑的比例為1∶0.5時,其抗壓強度可達20.23mpa。

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納米銀分散的玻璃反蛋白石結構的制備與表征 4.5

作者通過溶膠凝膠填充方法、利用膠體晶體為模板,制備納米銀摻雜的氧化硅反蛋白石結構.其中膠體晶體模板通過單分散的膠體微球以垂直沉積法自組裝而成.由膠體晶體模板制得的反蛋白石結構擁有與膠體晶體反結構相同的長程有序,并反射不同的色彩,其反射光譜隨角度變化并滿足布拉格關系.

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王東強

職位:水電安裝資料員

擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林

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